意法半導體(ST)推出業(yè)內最高頻率、最寬帶寬的集成化微波射頻合成器

　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)宣布推出新款的集成微波寬帶射頻合成器 STuW81300單片，可覆蓋1.925GHz至16GHz的射頻頻段，創(chuàng )下IC市場(chǎng)上最寬頻帶和最高頻率的記錄。與基于III-V技術(shù)的低集成度的傳統微波射頻合成器相比，STuW81300采用意法半導體的具有業(yè)界領(lǐng)先性能的BiCMOS SiGe集成制造工藝，可降低組件成本，實(shí)現經(jīng)濟效益更高的多用途射頻架構。

　　STuW81300整合了N型分頻鎖相環(huán)(PLL，phase-locked-loop)內核，以及低器噪寬帶壓控振蕩器(VCO，voltage-controlled oscillators)和穩壓器。此外，STuW81300還提供各種可編程硬件選項，以滿(mǎn)足最新和未來(lái)射頻/微波應用需求，其中包括射頻通信、衛星通信、基站、測試測量設備。

　　為支撐微波應用市場(chǎng)迅猛擴張，微波頻段(6GHz以上)的使用規模正在穩步增長(cháng)，市場(chǎng)需要成本結構優(yōu)化的能夠開(kāi)拓新市場(chǎng)的新一代射頻設備。將分立的砷化鎵(GaAs，gallium arsenide)架構集成到寬帶SiGe芯片內，可滿(mǎn)足這個(gè)需求。

　　STuW81300的主要技術(shù)特性有:

　　最寬的工作頻段，1.925GHz-16GHz(可分配給兩個(gè)射頻輸出)

　　內部寬帶匹配射頻輸出功率：+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz

　　倍頻輸出基本VCO抑制高于20dB

　　-227dBc/Hz歸一化帶內相噪底

　　VCO相位噪聲(6.0GHz)：-131dBc/Hz @ 1MHz頻偏

　　噪底(6.0GHz):-158dBc/Hz

　　VCO相位噪聲(12.0GHz)：-125dBc/Hz @ 1MHz頻偏

　　噪底(12.0GHz):-154dBc/Hz

　　0.13ps典型RMS頻率抖動(dòng)

　　作為意法半導體的獲得市場(chǎng)成功的STW81200和STW8110x產(chǎn)品系列的升級換代產(chǎn)品，新射頻合成器提供高性能和高靈活性，可以同時(shí)在同一電路板設計上支持多頻帶和多射頻標準。例如在衛星通信應用中，STuW81300可直接用作本機振蕩器，在電路板連接一個(gè)倍頻器，可調制解調Ku頻段信號或者Ka頻段信號。在其它應用中，STuW81300還能完全驅動(dòng)外部壓控振蕩器(例如GaAs)。

　　5V或3.6V非穩壓?jiǎn)坞娫醋孲TW81300在市場(chǎng)上獨一無(wú)二，結合優(yōu)化的功耗和性能，使其應用范圍從傳統市電供電基礎設施擴至低功耗應用。

　　意法半導體目前已開(kāi)始提供STuW81300測試樣片，并獲得多家客戶(hù)采用，預計2016將實(shí)現量產(chǎn)。意法半導體還可提供評估套件和6x6mm四邊扁平封裝的樣片。評估工具包括STWPLLSim軟件工具，讓開(kāi)發(fā)人員能夠按照項目實(shí)際要求快速且準確地修改應用設計。 更多詳情可瀏覽：www.st.com/stuw81300-pr