無(wú)磁芯變壓器在高邊驅動(dòng)中的應用
在半橋結構中驅動(dòng)高邊開(kāi)關(guān)必須要有信號從控制器傳送到浮動(dòng)高邊。根據驅動(dòng)電路的性能和擁有不同種類(lèi)電平位移的HV IC,信號互換需要用光電耦合器、脈沖變壓器或帶有電平位移的HV IC。光電耦合器可以提供安全隔離,但存在的問(wèn)題是:光電耦合器的響應速度相對MOSFET、IGBT等開(kāi)關(guān)速度太低、性能也會(huì )逐漸變差;隔離變壓器盡管是很普遍的解決方案,但所帶來(lái)的問(wèn)題是:驅動(dòng)電路會(huì )變得很復雜、驅動(dòng)信號的占空比會(huì )受到限制(如50%以下)、驅動(dòng)信號的波形也會(huì )變差;帶有電平位移的HV IC價(jià)格是比較低廉的,但需要專(zhuān)用的驅動(dòng)IC。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/200910.htm2 半橋驅動(dòng)器的特性
為了能夠將多種功能集成在IC中,本文分析討論了半橋驅動(dòng)器的潛在性能。
2.1 柵極驅動(dòng)
驅動(dòng)功率半導體器件必須要引用控制器的PWM信號為發(fā)射極與柵極提供電壓??刂破鞯妮敵鲂盘栯妷翰皇呛芨?,并且電壓變化率也很低,因此需要放大和電平調整。如果功率設備是在同樣的電壓下,柵極驅動(dòng)功能可以加以補充和豐富,但在許多情況下發(fā)射極與控制器的電壓是不同的。
圖1所示的半橋驅動(dòng)結構跟普通電力電子線(xiàn)路里的一樣,控制器和高邊發(fā)射極之間的電壓VE2不僅是不同的,而且在工作期間是變化的。將PWM信號從控制器傳送到高邊功率半導體,需要多種類(lèi)型的信號傳送器??偠灾?,柵極驅動(dòng)的最小功能是放大和電平位移。

圖1 半橋的內部結構圖
2.2 電平位移
工業(yè)要求在功率級和頻率變換器控制板之間要有安全隔離。在很多低性能驅動(dòng)應用中,往往是犧牲更多的效率來(lái)實(shí)現電路板和微控制器之間的隔離。
如果在控制器和功率級之間不加絕緣隔離,可以應用如圖2所示的帶有單片集成電平位移的高壓IC。這種IC在600V及其以下的電壓時(shí)非常消耗效率。由于更高的電壓在輸入和輸出之間用硅實(shí)現準隔離使這種解決方案變得很昂貴。高電平驅動(dòng)通常需要在微控制器和功率級之間加隔離。在工作電壓達到890V的應用中,這些驅動(dòng)的首選是現成可用的具有安全隔離的光電耦合器。所有采用光電耦合器的解決方案的主要缺陷在于相當慢的傳輸時(shí)間和更差的變換時(shí)間。高電壓隔離也可以由脈沖變壓器實(shí)現,離散脈沖變壓器的傳輸特性是不錯的,但成本和物理大小迫使人們尋找新的解決方案。無(wú)磁芯變壓器技術(shù)即提供了一種新的解決方案。

圖2 具有準隔離的電平位移電路
3 無(wú)磁芯變壓器技術(shù)
3.1 無(wú)磁芯變壓器原理
無(wú)磁芯變壓器技術(shù)使用半導體制造工藝來(lái)集成一個(gè)由金屬螺旋線(xiàn)和氧化硅絕緣材料組成的變壓器,其主要思想就是在IC內集成變壓器的兩個(gè)繞組,如圖3所示。變壓器可以安置在接收器芯片上,也可以安置在傳輸芯片上,但功能是不變的。離散變壓器需要磁芯產(chǎn)生磁通量,繞組在IC內需要放置的足夠緊密來(lái)保護磁芯。

圖3 無(wú)磁芯變壓器原理
由于繞組的設計和大小,耦合能力可能減小到很低,在輸入和輸出之間的總容量由框架的大小控制。一個(gè)好的繞組設計可使它不受外界磁場(chǎng)的影響。根據EN50178,為保證工作電壓達到890V的應用的安全隔離,繞組之間的隔離需要能承受6kV的電壓。
氧化硅絕緣材料是IC中常用的隔離材料,只要使用適當的生產(chǎn)技術(shù)就可以做到足夠的厚度。另外,可以采用具有較強集成邏輯能力的技術(shù)來(lái)支持無(wú)磁芯變壓器的應用。當變壓器傳送脈沖信號,還需要接收電路。接收電路也可以像繞組一樣很容易的集成在同一個(gè)芯片內。接收電路連接在次級繞組上,它的作用是把變壓器發(fā)出的信號解碼。這些信號由位于不同芯片上的激勵電路產(chǎn)生。激勵電路由兩根導線(xiàn)連接到變壓器的初級繞組上。
3.2 信號傳輸
脈沖變壓器通常要求允許快速和穩定通信的信號協(xié)議。無(wú)磁芯變壓器初級與次級繞組的脈沖延遲需少于10ns。建立較好的基本速度,特別是延遲不會(huì )隨時(shí)間或溫度的變化而降級。由于繞組產(chǎn)生磁場(chǎng)并且瞬間達到50kV/μs,因此不會(huì )對傳輸產(chǎn)生影響。為了不產(chǎn)生風(fēng)險,使用串聯(lián)模式能很容易的實(shí)現接收電路的共模抑制濾波。類(lèi)似地智能錯誤檢測也可集成在激勵電路內,在檢測到錯誤的情況下能糾正信號。帶有編碼,解碼和濾波的無(wú)磁芯變壓器的總延遲時(shí)間大約為50ns(如圖4所示)。

圖4 無(wú)磁芯變壓器模型的測試曲線(xiàn)
由于無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的轉換率高達100兆赫,因此不僅適用柵極驅動(dòng),而且還可以作為基本技術(shù)應用在要求(安全)絕緣隔離和高數據速率的各種各樣的產(chǎn)品中。
3.3 無(wú)磁芯變壓器技術(shù)與電平位移技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)
由于電平位移技術(shù)不能提供電流隔離,所以在一些應用中不能直接加強隔離。如果半導體技術(shù)不能通過(guò)使用介電隔離或通過(guò)將電路分離在兩個(gè)芯片上提供保護,那么流過(guò)襯底的電流可能會(huì )導致某個(gè)特殊點(diǎn)上的IC故障。更重要的是,一旦當高邊柵極驅動(dòng)芯片,其可方便、可*的應用到中等功率的應用場(chǎng)合中。驅動(dòng)器的內部結構圖如圖5所示。
具有隔離功能的半橋驅動(dòng)器2EID020I12-F可實(shí)現高邊驅動(dòng)和+1A/-2A的輸出電流。低邊驅動(dòng)和輸入連同一個(gè)通用比較器和一個(gè)通用運算放大器一起集成在同一個(gè)芯片里,標準邏輯功能如高低邊的欠壓鎖定也集成在芯片里。

圖5 2ED020I12-F內部結構圖
5 結語(yǔ)
本文表明放大作用和電平位移是柵極驅動(dòng)的主要任務(wù),討論了多種實(shí)現電平位移的技術(shù)。介紹了一種新型的高邊驅動(dòng)解決方案,用無(wú)磁芯變壓器技術(shù)設計具有電隔離的高邊驅動(dòng)。最后介紹了一款合并了無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的產(chǎn)品2ED020I12-F,體現了無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的優(yōu)越性。
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