納米材料與器件的電氣測量方法

低功率脈動(dòng)技術(shù)

對于納米級材料的測試來(lái)說(shuō)，選擇正確的測量拓撲結構來(lái)提高測量的速度和降低噪聲依然不夠。例如，某些CNT的開(kāi)關(guān)速度是傳統CMOS晶體管開(kāi)關(guān)速度的1000倍。這對于納安級的商用皮可安培計(picoammeter)來(lái)說(shuō)太快了。這類(lèi)器件的測量要求采用更高速的阻抗測量技術(shù)。

低功率脈動(dòng)方法(pulsing technique)可以部分地解決這個(gè)問(wèn)題，這種技術(shù)已經(jīng)可以用在一些SMU設計上。這種概念是采用很高的測驗電流或測驗電壓，在很短的周期中施加這種大激勵。較大的激勵可以降低源噪聲(通過(guò)提高信噪比)，并且可以改善電壓脈沖和電流脈沖信號的上升或穩定時(shí)間。低噪聲的激勵源需要較少的濾波處理，并允許更短的源激勵周期時(shí)間(更窄的脈沖寬度)。較大的源激勵可以提高響應電流或電壓，這樣可以有更寬的儀器選擇范圍，進(jìn)一步降低噪聲的影響。由于降低了噪聲，可以縮短測量的采集時(shí)間，從而提高測量速度。

避免自發(fā)熱問(wèn)題

一個(gè)可能的誤差源是過(guò)高的電流通過(guò)DUT時(shí)引起的自發(fā)熱，這樣的電流甚至可能引起采樣的嚴重故障，因此在器件測驗過(guò)程中儀器必須能自動(dòng)限制電流源?？删幊痰碾娏骱碗妷候炞C電路是大多數帶有脈動(dòng)電流功能、基于SMU測試系統的標準功能，某些低阻結構時(shí)應避免自發(fā)熱。

當需要提高測試電流時(shí)，電流值必須保證不能引入過(guò)多的能量，避免將DUT加熱到失效溫度 (納米器件能承受的熱量很低，所以器件消耗的總能量必須保持在很低的水平)。另外，還必須非常小心測試電流值，使其保持足夠低以保證DUT的納米級通道不會(huì )飽和。例如，直徑為1.5nm的電流通道嚴格限制了單位時(shí)間內可通過(guò)電子的數量。某些納米級別的器件在導電狀態(tài)只能承受幾百納安的電流。因此，即便在脈動(dòng)應用中，器件的飽和電流已經(jīng)限制了可加載的最大測試電流。

下面的公式描述了脈動(dòng)模式下負載循環(huán)和測量時(shí)間如何影響DUT的功耗。為了計算脈動(dòng)模式下的功耗，要將視在功耗(V*I)與測試激勵的時(shí)間相乘再除以測試重復率：

采用低阻連接，例如通過(guò)納米操縱器(nanomanipulator)，脈動(dòng)模式還可用于狀態(tài)密度測量。脈動(dòng)模式還可以測量原來(lái)由于微粒的自發(fā)熱無(wú)法實(shí)現的I/V位置測量。

可選擇的其他測量?jì)x器

高級的AC+DC電流源帶有脈動(dòng)模式，如Keithley的Model 6221。該波形發(fā)生器允許用戶(hù)優(yōu)化脈沖電流值、脈沖間歇、脈沖寬度，并且可與納伏電壓計之類(lèi)的測量?jì)x器同步觸發(fā)。通過(guò)內建的同步機制，納伏電壓計可以在施加脈沖之后數微秒內開(kāi)始讀數。這一功能極大簡(jiǎn)化了微分電導測量，并且允許測量從10nΩ到100MΩ的電阻。這樣的儀器組合是AC電阻電橋和鎖相放大器測量的高性能替代選擇。

采用這些先進(jìn)的儀器測量微分電導，比過(guò)去的方法速度快10倍而且噪聲更低。這種測量在單次掃描中完成，而不是取多次掃描結果的平均值，平均值方法的測量時(shí)間較長(cháng)而且更容易產(chǎn)生誤差。此外，這些儀器還可以在增量模式(delta mode)下使用，可以進(jìn)一步提高精度?？傊?，與其他測試方法相比，這些技術(shù)可以將測量的精確度提高三個(gè)數量級。

電阻抗譜

電阻抗譜同許多使用納米材料的器件都相關(guān)。一個(gè)例子是電化學(xué)電池，這種電池在膜電極組件(MEA)上采用納米級材料作為催化劑。電池復數阻抗的電抗分量提供了在電池陰極和陽(yáng)極處化學(xué)反應速度的直接測量—這是催化作用的直接反映。在其他應用中，電抗分量可以反映出材料介電電荷的分布以及外電場(chǎng)作用下材料介電性能重新取向的難易。

這種技術(shù)早已超越了直流電壓或電流下的簡(jiǎn)單阻抗測量。復數阻抗是一種交流(或脈動(dòng)直流)特性，可以用具有幅值和相位的矢量來(lái)表述。相位描述了電壓或電流激勵(零參考相位)與響應電流或電壓在時(shí)間上的關(guān)系，以及結果的電流或電壓響應。在任何頻率下，阻抗都可以采用幅值和相角來(lái)表述。復數阻抗必須在某特定的激勵頻率下計算，由于器件可以簡(jiǎn)化為一個(gè)電阻與電容或電感串聯(lián)或并聯(lián)的模型，其相角必然隨著(zhù)頻率變化。

通過(guò)測量復數電壓和電流，可以用復數電壓除以復數電流計算得到矢量阻抗，這只需要在每次電壓和電流測量下記錄相對時(shí)間。通過(guò)計算復數傅立葉變換得到最終結果，該變換將時(shí)域數據擴展到頻域。

由于復數阻抗相角表示激勵和得到的DUT響應之間的時(shí)間差(提前或延后)，因為任何相角可以用下面的關(guān)系式轉換成時(shí)間。

這是在激勵和響應之間的時(shí)間偏移，與是電壓還是電流激勵無(wú)關(guān)。因此，如果我們在電壓和電流測量時(shí)記錄時(shí)間，我們可以通過(guò)恰當的數學(xué)變換計算出復數阻抗。

我們已經(jīng)討論了適當測量拓撲結構的選擇對降低噪聲和提高系統速度的重要性。另外，為了精確表征復數阻抗，儀器和測量方法還需要合適的采樣頻率。而且，為了計算阻抗，儀器需要有一個(gè)穩定的時(shí)基。要求的采樣頻率、采集時(shí)間和數學(xué)變換取決于精度和DUT復數阻抗的性質(zhì)。