PCB的布線(xiàn)原則介紹

3. 信號走線(xiàn)

3.1 Modem信號走線(xiàn)中，易產(chǎn)生噪聲的信號線(xiàn)和易受干擾的信號線(xiàn)盡量遠離，如無(wú)法避免時(shí)要用中性信號線(xiàn)隔離。

Modem易產(chǎn)生噪聲的信號引腳、中性信號引腳、易受干擾的信號引腳如下表所示：

3.2 數字信號走線(xiàn)盡量放置在數字信號布線(xiàn)區域內;

模擬信號走線(xiàn)盡量放置在模擬信號布線(xiàn)區域內;

(可預先放置隔離走線(xiàn)加以限定，以防走線(xiàn)布出布線(xiàn)區域)

數字信號走線(xiàn)和模擬信號走線(xiàn)垂直以減小交叉耦合。

3.3 使用隔離走線(xiàn)(通常為地)將模擬信號走線(xiàn)限定在模擬信號布線(xiàn)區域。

a) 模擬區隔離地走線(xiàn)環(huán)繞模擬信號布線(xiàn)區域布在PCB板兩面，線(xiàn)寬50-100mil;

b) 數字區隔離地走線(xiàn)環(huán)繞數字信號布線(xiàn)區域布在PCB板兩面，線(xiàn)寬50-100mil，其中一面PCB板邊應布200mil寬度。

3.4 并行總線(xiàn)接口信號走線(xiàn)線(xiàn)寬>10mil(一般為12-15mil)，如/HCS、/HRD、/HWT、/RESET。

3.5 模擬信號走線(xiàn)線(xiàn)寬>10mil(一般為12-15mil)，如MICM、MICV、SPKV、VC、VREF、TXA1、TXA2、RXA、TELIN、TELOUT。

3.6 所有其它信號走線(xiàn)盡量寬，線(xiàn)寬>5mil(一般為 10mil)，元器件間走線(xiàn)盡量短(放置器件時(shí)應預先考慮)。

3.7 旁路電容到相應IC的走線(xiàn)線(xiàn)寬>25mil，并盡量避免使用過(guò)孔。

3.8 通過(guò)不同區域的信號線(xiàn)(如典型的低速控制/狀態(tài)信號)應在一點(diǎn)(首選)或兩點(diǎn)通過(guò)隔離地線(xiàn)。如果走線(xiàn)只位於一面， 隔離地線(xiàn)可走到PCB的另一面以跳過(guò)信號走線(xiàn)而保持連續。

3.9 高頻信號走線(xiàn)避免使用90度角彎轉，應使用平滑圓弧或45度角。

3.10 高頻信號走線(xiàn)應減少使用過(guò)孔連接。

3.11 所有信號走線(xiàn)遠離晶振電路。

3.12 對高頻信號走線(xiàn)應采用單一連續走線(xiàn)，避免出現從一點(diǎn)延伸出幾段走線(xiàn)的情況。

3.13 DAA電路中，穿孔周?chē)?所有層面)留出至少60mil的空間。

3.14 清除地線(xiàn)環(huán)路，以防意外電流回饋影響電源。

4. 電源

4.1 確定電源連接關(guān)系。

4.2 數字信號布線(xiàn)區域中，用10uF電解電容或鉭電容與0.1uF瓷片電容并聯(lián)後接在電源/地之間。在PCB板電源入口端和最遠端各放置一處，以防電源尖峰脈沖引發(fā)的噪聲干擾。

4.3 對雙面板，在用電電路相同層面中，用兩邊線(xiàn)寬為 200mil的電源走線(xiàn)環(huán)繞該電路。(另一面須用數字地做相同處理)

4.4 一般地，先布電源走線(xiàn)，再布信號走線(xiàn)。

5. 地

5.1雙面板中，數字和模擬元器件(除DAA)周?chē)跋路轿词褂弥畢^域用數字地或模擬地區域填充，各層面同類(lèi)地區域連接在一起，不同層面同類(lèi)地區域通過(guò)多個(gè)過(guò)孔相連：Modem DGND引腳接至數字地區域，AGND引腳接至模擬地區域;數字地區域和模擬地區域用一條直的空隙隔開(kāi)。

5.2 四層板中，使用數字和模擬地區域覆蓋數字和模擬元器件(除DAA);Modem DGND引腳接至數字地區域，AGND引腳接至模擬地區域;數字地區域和模擬地區域用一條直的空隙隔開(kāi)。

5.3 如設計中須EMI過(guò)濾器，應在接口插座端預留一定空間，絕大多數EMI器件(Bead/電容)均可放置在該區域;未使用之區域用地區域填充，如有屏蔽外殼也須與之相連。

5.4 每個(gè)功能模塊電源應分開(kāi)。功能模塊可分為：并行總線(xiàn)接口、顯示、數字電路(SRAM、EPROM、Modem)和DAA等，每個(gè)功能模塊的電源/地只能在電源/地的源點(diǎn)相連。

5.5 對串行DTE模塊，使用去耦電容減少電源耦合，對電話(huà)線(xiàn)也可做相同處理。

5.6 地線(xiàn)通過(guò)一點(diǎn)相連，如可能，使用Bead;如抑制EMI需要，允許地線(xiàn)在其它地方相連。

5.7 所有地線(xiàn)走線(xiàn)盡量寬，25-50mil。

5.8 所有IC電源/地間的電容走線(xiàn)盡量短，并不要使用過(guò)孔。

6. 晶振電路

6.1 所有連到晶振輸入/輸出端(如XTLI、XTLO)的走線(xiàn)盡量短，以減少噪聲干擾及分布電容對Crystal的影響。XTLO走線(xiàn)盡量短，且彎轉角度不小於45度。(因XTLO連接至上升時(shí)間快，大電流之驅動(dòng)器)

6.2 雙面板中沒(méi)有地線(xiàn)層，晶振電容地線(xiàn)應使用盡量寬的短線(xiàn)連接至器件上離晶振最近的DGND引腳，且盡量減少過(guò)孔。

6.3 如可能，晶振外殼接地。

6.4 在XTLO引腳與晶振/電容節點(diǎn)處接一個(gè)100 Ohm電阻。

6.5 晶振電容的地直接連接至 Modem的GND引腳，不要使用地線(xiàn)區域或地線(xiàn)走線(xiàn)來(lái)連接電容和Modem的GND引腳。