集成專(zhuān)用驅動(dòng)器在開(kāi)關(guān)電源中的應用

隨著(zhù)各種用電設備的飛速發(fā)展，特別是通訊產(chǎn)業(yè)的突飛猛進(jìn)，對電源不斷地提出新的要求：電功率要求不斷加大；電壓調節范圍要求越來(lái)越大；電流的穩定性要求越來(lái)越高；紋波與噪聲要求越來(lái)越低；體積要求越來(lái)越小等。為了適應這種現狀，開(kāi)關(guān)電源的產(chǎn)生與發(fā)展成為了必然。

由于遠程供電的需要，需研制一臺高壓大功率直流開(kāi)關(guān)電源。采用開(kāi)關(guān)電源主要是因為開(kāi)關(guān)電源功率可以做大、電壓可以做高、電壓調節范圍可以做廣。但是在整個(gè)研制過(guò)程中發(fā)現驅動(dòng)電路是比較困難且重要的環(huán)節。目前開(kāi)關(guān)電源的國內外發(fā)展速度很快，技術(shù)非常成熟。20世紀90年代以來(lái)，高頻變換技術(shù)飛速地發(fā)展，不斷涌現了新型電力電子器件，高智能化IC和新電路拓撲，創(chuàng )造出10年前意想不到的許多新型穩壓電源?，F代電源技術(shù)正以空前的規模改造著(zhù)傳統的舊式電器設備，廣泛進(jìn)入了國民經(jīng)濟和人類(lèi)生活的各個(gè)領(lǐng)域。

l驅動(dòng)電路的功能與特點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源的形式與種類(lèi)很多，盡管各種不同的開(kāi)關(guān)電源能達到的性能指標也各不相同，但總是由以下幾個(gè)部分組成：

(1)控制單元

一般都是由專(zhuān)門(mén)的集成電路擔當這部分工作，也有用單片機、DPS作為控制單元核心的，視具體需要而定。

(2)功率元件

目前一般使用IGBT和MOSFET；一般高頻中小功率情況下用場(chǎng)效應管，大功率情況下用IGBT，其電路結構上大同小異，柵極高電平(一般是10～20 V，常用的是15 V)導通，低電平(－5～0 V)截止。其作用是開(kāi)關(guān)電源的核心。

(3)驅動(dòng)電路

這部分是開(kāi)關(guān)電源的靈魂，是連接控制單元與功率管的橋梁?？刂茊卧鰜?lái)的電平一般無(wú)法直接驅動(dòng)功率管，需要有一個(gè)電平的轉換及電流驅動(dòng)；對于驅動(dòng)電路而言，功率管的柵極即為負載，一般的功率管柵源之間有一個(gè)寄生電容，故驅動(dòng)電路的負載是一個(gè)容性負載，若驅動(dòng)電流不夠，或提高頻率，方波會(huì )產(chǎn)生畸變，無(wú)法達到設計目的。因此功率電子的驅動(dòng)是整個(gè)設計的重點(diǎn)，也是難點(diǎn)。

開(kāi)關(guān)穩壓電源中的功率開(kāi)關(guān)管要求在關(guān)斷時(shí)能迅速關(guān)斷，并能維持關(guān)斷期間的漏電流近似等于零；在導通時(shí)要求能迅速導通，并且維持導通期間的管壓降也近似等于零。開(kāi)關(guān)管趨于關(guān)斷時(shí)的下降時(shí)間和趨于導通時(shí)的上升時(shí)間的快慢是降低開(kāi)關(guān)晶體管損耗功率，提高開(kāi)關(guān)穩壓電源效率的主要因素。要縮短這兩個(gè)時(shí)間，除選擇高反壓、高速度、大功率開(kāi)關(guān)管以外，主要還取決于加在開(kāi)關(guān)管柵極的驅動(dòng)信號。驅動(dòng)波形的要求如下：

①驅動(dòng)波形的正向邊緣一定要陡，幅度要大，以便減小開(kāi)關(guān)管趨于導通時(shí)的上升時(shí)間；

②在維持導通期間內，要能保證開(kāi)關(guān)管處在飽和導通狀態(tài)，以減小開(kāi)關(guān)管的正向導通管壓降，從而降低導通期間開(kāi)關(guān)管的集電極功率損耗；

③當正向驅動(dòng)結束時(shí)，驅動(dòng)幅度要減小，以便使開(kāi)關(guān)管能很快地脫離飽和區，以減小關(guān)閉儲存時(shí)問(wèn)；

④驅動(dòng)波形的下降邊緣也一定要陡，幅度要大，以便減小開(kāi)關(guān)管趨于截止時(shí)的下降時(shí)間。理想的驅動(dòng)波形如圖1所示。其中圖1(a)是漏極電壓和電流波形圖，圖1(b)是柵極驅動(dòng)信號波形圖。

2 IR2110柵極驅動(dòng)抗干擾技術(shù)

IR2110是一種雙通道高壓、高速電壓型功率開(kāi)關(guān)器件柵極驅動(dòng)器，具有自居浮動(dòng)電源，驅動(dòng)電路十分簡(jiǎn)單，只用一個(gè)電源可同時(shí)驅動(dòng)上下橋臂。但是IR2110芯片有他本身的缺陷，不能產(chǎn)生負壓，在抗干擾方面比較薄弱，以下詳細結合實(shí)驗介紹抗干擾技術(shù)。

2．1 芯片功能簡(jiǎn)介

IR2110包括：邏輯輸入、電平轉換、保護、上橋臂側輸出和下橋臂側輸出。邏輯輸入端采用施密特觸發(fā)電路，提高抗干擾能力。輸入邏輯電路與TTL／COMS電平兼容，其輸入引腳閾值為電源電壓Vdd的10％，各通道相對獨立。由于邏輯信號均通過(guò)電平耦合電路連接到各自的通道上，允許邏輯電路參考地(VSS)與功率電路參考地(COM)之間有－5 V～＋5 V的偏移量，并且能屏蔽小于50 ns脈沖，這樣便具有較理想的抗噪聲效果。兩個(gè)高壓MOS管推挽驅動(dòng)器的最大灌入或輸出電流可達2 A，上橋臂通道可以承受500 V的電壓。輸入與輸出信號之間的傳導延時(shí)較小，開(kāi)通傳導延時(shí)為120 ns，關(guān)斷傳導延時(shí)為95 ns。電源VCC典型值為15 V，邏輯電源和模擬電源共用一個(gè)15 V電源，邏輯地和模擬地接在一起。輸出端設有對功率電源VCC的欠壓保護，當小于8．2 V時(shí)，封鎖驅動(dòng)輸出。

IR2110具有很多優(yōu)點(diǎn)：自舉懸浮驅動(dòng)電源可同時(shí)驅動(dòng)同一橋臂的上、下兩個(gè)開(kāi)關(guān)器件，驅動(dòng)500 V主電路系統，工作頻率高，可以達到500 kHz；具有電源欠壓保護相關(guān)斷邏輯；輸出用圖騰柱結構，驅動(dòng)峰值電流為2 A；兩通道設有低壓延時(shí)封鎖(50 ns)。芯片還有一個(gè)封鎖兩路輸出的保護端SD，在SD輸入高電平時(shí)，兩路輸出均被封鎖。IR2110的優(yōu)點(diǎn)，給實(shí)際系統設計帶來(lái)了極大方便，特別是自舉懸浮驅動(dòng)電源大大簡(jiǎn)化了驅動(dòng)電源設計，只用一路電源即可完成上下橋臂兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件的驅動(dòng)。IR2110的典型應用電路如圖2所示。

但是在這種電路的使用上存在很大的問(wèn)題，當高壓側電壓緩慢地往上升時(shí)可以清楚地看見(jiàn)毛刺越來(lái)越嚴重，電壓很低時(shí)管子發(fā)熱嚴重，芯片很容易燒掉。這些問(wèn)題都是由于2 11 0自身的一些不足產(chǎn)生的，IR2110不能產(chǎn)生負偏壓，如果用于驅動(dòng)橋式電路，在半橋電感負載電路下運行，處于關(guān)斷狀態(tài)下的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管的恢復過(guò)程，將承受C-E電壓的急劇上升。此靜態(tài)的dv／dt通常比IGBT關(guān)斷時(shí)的上升率高。由于密勒效應，此dv／dt在集電極，柵極問(wèn)電容內產(chǎn)生電流，流向柵極驅動(dòng)電路，如圖3所示。雖然在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)柵極電壓Vg為零，由于柵極電路的阻抗(柵極限流電阻Rg，引線(xiàn)電感Lg)，該電流令VGE增加，趨向于VGE(th)。最嚴重的情況是該電壓達到閾值電壓，使IGBT導通，導致橋臂短路。IR2110驅動(dòng)輸出阻抗不夠小，沿柵極的灌人電流會(huì )在驅動(dòng)電壓上加上比較嚴重的毛刺干擾。

2．2 IR2110改進(jìn)抗干擾電路

2．2．1 帶電平箝位的IR2110驅動(dòng)電路

針對IR2110的不足，對輸出驅動(dòng)電路進(jìn)行了改進(jìn)，可以采用在柵極限流電阻上反并聯(lián)一個(gè)二極管，但在大功率的環(huán)境下不太明顯。本文介紹的第一種方法就是下面如圖4所示電路。在關(guān)斷期間將柵極驅動(dòng)電平箝位到零電平。在橋臂上管開(kāi)通期間驅動(dòng)信號使Q1導通、Q2截止，正常驅動(dòng)。上管關(guān)斷期間，Q1截止，Q2柵極高電平，導通，將上管柵極電位拉到低電平(三極管的飽和壓降)。這樣，由于密勒效應產(chǎn)生的電流從Q2中流過(guò)，柵極驅動(dòng)上的毛刺可以大大的減小。下管工作原理與上管完全相同，不再累述。