寬帶功率放大器的設計

摘要：介紹一個(gè)兩級2 W的寬帶功率放大器設計，頻率范圍從700 MHz～1．1 GHz。前級放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末級采用飛思卡爾公司的LDMOS場(chǎng)效應晶體管MW6S004N。飛思卡爾公司提供的datasheet中沒(méi)有包含在設計所要求的頻段和功率輸出值時(shí)相應的輸入和輸出阻抗值。為了正確匹配，采用ADS的負載牽引法得到LD-MOS場(chǎng)效應晶體管MW6S004N的輸入和輸出阻抗值，然后使用有耗匹配式放大器的拓撲結構進(jìn)行實(shí)際設計，并使用ADS對設計的放大器進(jìn)行仿真和優(yōu)化。
關(guān)鍵詞：功率放大器；寬頻帶；有耗匹配；ADS；LDMOS

0 引 言
寬帶功率放大器的應用開(kāi)始從軍用向民用擴展，目前在無(wú)線(xiàn)通信、移動(dòng)電話(huà)、衛星通信網(wǎng)、全球定位系統(GPS)、直播衛星接收(DBS)、ITS通信技術(shù)及毫米波自動(dòng)防撞系統等領(lǐng)域有著(zhù)廣闊的應用前景，在光傳輸系統中，寬帶功率放大器也同樣占有重要地位。
在無(wú)線(xiàn)通信、電子戰、電磁兼容測試和科學(xué)研究等領(lǐng)域，對射頻和微波寬帶放大器有極大需求，且這些領(lǐng)域對寬帶放大器要求各不相同，特別是在通信系統和電子戰系統的應用中，對寬帶低噪聲和功率放大器的性能指標有特殊要求。在設計上傳統窄帶放大器的端口匹配，一般是按照低噪聲或者共扼匹配來(lái)設計的，以此獲得低噪聲放大器或者最大的輸出功率。但是，在寬帶的條件下，輸入／輸出阻抗變化是比較大的，此時(shí)使用共扼匹配的概念是不合適的。正因為如此，寬帶放大器的匹配電路設計方法也與窄帶放大器有所不同，寬頻帶放大器電路結構主要可以分為以下幾種：
平衡式放大器；反饋式放大器；分布式放大器；有耗匹配式放大器；有源匹配式放大器；達靈頓對結構。各種結構都有各自的特點(diǎn)和適用的情況，在設計中應當根據具體放大器的性能指標要求進(jìn)行合理的選擇。

1 寬帶功率放大器的結構與原理
1．1 寬帶功率放大器的指標分析
寬帶功率放大器的許多指標和普通的功率放大器是一樣的，如飽和輸出功率、P1dB壓縮點(diǎn)、功率效率、互調失真、諧波失真、微波輻射等，但寬帶功率放大器也有特殊之處。
1．1．1 工作頻帶寬度
工作頻帶通常指放大器滿(mǎn)足其全部性能指標的連續工作頻率范圍。
1．1．2 增益平坦度與起伏斜率
增益平坦度是指頻帶內最高增益與最低的分貝數之差，多倍頻程放大器的增益平坦度一般是±1～±3 dB。在微波系統中有時(shí)候需要兩個(gè)以上的寬頻帶放大器級聯(lián)，級聯(lián)放大器的增益平坦度將變壞，這是由于前級放大器輸出駐波比與后級放大器輸入駐波比不一致造成的。尤其在寬頻帶內，級間的反射相位有時(shí)迭加，有時(shí)抵消，增大了起伏，因此一般要在級聯(lián)放大器的級間加匹配衰減器。環(huán)境溫度、直流偏置電壓以及時(shí)間老化等因素對增益值影響較大，而對增益平坦度的影響較小。
1．1．3 駐波比與反射損耗
寬頻帶放大器的駐波比指標比窄頻帶放大器更難保證。倍頻程放大器可以達到VSWR2，當要求較高時(shí)，可以用鐵氧體隔離器改善駐波比。但是，在多倍頻程的情況下，無(wú)法獲得適用的超寬頻帶隔離器，所以駐波比不可能很好。
1．2 LDMOS
Lateral Double diffusion MOS(LDMOS)采用雙擴散技術(shù)，在同一窗口相繼進(jìn)行兩次硼磷擴散，由兩次雜質(zhì)擴散橫向結深之差可精確地決定溝道長(cháng)度。溝道長(cháng)度L可以做得很小，并且不受光刻精度的限制。由于LDMOS的短溝效應，故跨導、漏極電流、工作頻率和速度都比一般MOSFET有了很大的提高；在射頻應用方面，LDMOS有著(zhù)更好的線(xiàn)性度、較大的線(xiàn)性增益、高的效率和較低的交叉調制失真。同時(shí)，LDMOS是基于成熟的硅工藝器件，比起其他的微波晶體管成本可以降低好幾倍。
1．3 有耗匹配式放大器的結構
有耗增益補償匹配網(wǎng)絡(luò )在增益、放射系數和帶寬之間可完成“重要”的折衷，而且，這種匹配網(wǎng)絡(luò )的阻抗特性也可改善放大器的穩定性，減小它的尺寸和價(jià)格，因為有耗匹配電路的方案簡(jiǎn)單。在很多實(shí)際情況中，為了改善寬帶匹配――具有最小的增益波動(dòng)和輸入反射系數，在晶體管輸入端并聯(lián)阻性元件是非常有效的。對較高頻率，使用感性電抗元件與電阻串聯(lián)比基本型具有額外的匹配改善。對于寬帶有耗匹配MOSFET高功率放大器，最好使用串聯(lián)集中參數電感，本設計使用的結構如圖1所示。在電阻上并聯(lián)一個(gè)電容可以在頻帶的高端提升功率增益。

1．4 寬帶阻抗匹配電路