用于高功率發(fā)光二極管的覆銅陶瓷基板研究

　　基板的橫切面(圖3)顯示氧化鋁(24 W/mK)與氮化鋁基板(180W/mK)的緊密接觸面。

　　動(dòng)機

　　預期災難性故障比率和接面溫度的相依性是眾所周知和有案可稽的事實(shí)，并可于A(yíng)rrhenius模型預見(jiàn)。較高接面溫度會(huì )導至流明降低，因而縮短模塊的預期壽命。

　　制造優(yōu)質(zhì)發(fā)光二極管模塊的主要方法是以較好封裝以取得較低接面溫度。用適當組合的DCB基板之物料可加長(cháng)裝配發(fā)光二極管模塊裝的壽命和減少價(jià)格和壽命比。氮化鋁與薄氧化鋁(0.25mm) DCB基板都同樣可以對以上的挑戰做出經(jīng)濟性和技術(shù)性的解決方案。

　　當我們考慮一套典型的5W高功率發(fā)光二極管封裝和大約9mm?的接觸面積(支持基板之金屬片的接觸)，根據表一之示可容易計算出，就算是標準氧化鋁陶瓷基板已經(jīng)很足夠，那就可以避免花費使用制定材料如Si3N4或氮化鋁引致的成本增加。根據幾何條件熱阻可大為降s并較之傳統IMS基板(75μm~F物厚和2.2W/mK傳熱度)低約60%。

　　表1 基于9mm2面積的熱阻計算(無(wú)熱擴散)

　　圖4 LED功率發(fā)展預測

　　仔細觀(guān)看功率的預測發(fā)展時(shí)(圖4)可以看到，到2010年時(shí)，發(fā)光二極管功率可高達100W。我們須了解這個(gè)并非全新封裝問(wèn)題。這個(gè)需求是與傳統電力電子一樣。因此，相同的比對結果C應用相同的解決方案。

　　圖5 顯示了功率密度和工作溫度。

　　圖5 功率密度和溫度

　　我們參看三家主要發(fā)光二極管制造商的封裝型高功率發(fā)光二極管之發(fā)展趨勢 (圖6)。推動(dòng)設計師去設計一些可降低熱阻的封裝。

　　圖6 LED功率和封裝熱阻的發(fā)展趨勢