設計人員感興趣的另一個(gè)地方是MOSFET電容的測試條件。大多數情況下，輸出電容在1MHz頻率和Vgs為0V的條件下測量。事實(shí)上存在著(zhù)柵漏間電容、柵源間電容及漏源間電容。但實(shí)際上卻不可能單獨測量每一電容。因此，柵漏間電容和漏源間電容之和總稱(chēng)為輸出電容，通過(guò)并聯(lián)兩個(gè)電容來(lái)測量。為使它們并聯(lián)，將柵極與源極短接在一起，即Vgs=0V。在開(kāi)關(guān)應用中，當MOSFET在柵極加偏置電壓而導通時(shí)，輸出電容通過(guò)MOSFET溝道而短路。僅當MOSFET關(guān)斷時(shí)，輸出電容值才值得考慮。關(guān)于頻率，如圖5所示，低壓下的輸出電容在低頻時(shí)稍有增加。低頻時(shí)，因為測試設備的限制，有時(shí)無(wú)法測量低漏源電壓下的電容。圖5中，當漏源電壓小于4V時(shí)，100kHz時(shí)的電容將無(wú)法測出。雖然輸出電容存在微小變化，但是等效輸出電容卻幾乎恒定，因為低壓下的輸出電容微小變化不會(huì )對儲能產(chǎn)生如圖3所示那樣大的影響。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/187223.htm
圖5：MOSFET電容與頻率的關(guān)系。
本文小結
輸出電容是軟開(kāi)關(guān)轉換器設計的重要部分。設計人員必須慎重考慮等效電容值，而不是將其固定為漏源電壓下的單一數值。
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