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配合移動(dòng)設備不同充電應用的全面保護方案

作者: 時(shí)間:2009-05-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

采用電池供電的如手機、數碼相機、手持全球衛星定位(GPS)系統等,在日常的/供電中,它們的電池都面臨著(zhù)正向/負向過(guò)壓、過(guò)流等眾多風(fēng)險,故需要安全且小巧的電池管理,以盡可能的使電池的可用時(shí)間較長(cháng)、可用電壓較高、時(shí)間較短及電池生命周期時(shí)間較長(cháng)等。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/181393.htm

我們把普通墻式適配器或USB充電適配器到電池的通道稱(chēng)為直接充電通道,而把電池到外部附件(如調頻收發(fā)器、負載揚聲器和閃光模塊)的通道稱(chēng)為反向供電/充電通道(參見(jiàn)圖1
移動(dòng)設備的直接充電通道和反向供電/充電通道示意圖)。


圖一

安森美半導體身為全球領(lǐng)先的高能效、高性能半導體供應商,針對移動(dòng)設備的充電提供結合特性的過(guò)壓, 包括符合YD/T1591 手機充電器及接口標準,具有低導通阻抗,符合USB1.1/2.0電流消耗要求,具有快關(guān)閉時(shí)間,支持軟啟動(dòng),并為客戶(hù)提供完整的技術(shù)支持。

例如,在針對電壓/電流可達30 V/1A~2 A的墻式適配器充電方面,安森美半導體的正向過(guò)壓(OVP)器件包括NCP345/NCP346(僅驅動(dòng)器)、NCP347/NCP348(集成N溝道MOSFET),以及正在提供樣品的集成NMOS、采用WDFN 1.6×2 mm/1.6×1.8 mm極小封裝的NCP349等等。其中NCP347/NCP348提供市場(chǎng)上最低的導通阻抗(典型值65 mΩ),具有極短的關(guān)閉時(shí)間(典型值1.5 us),能處理高達2 A的充電電流,欠壓鎖定(UVLO)和過(guò)壓鎖定(OVLO)電壓能藉金屬調整(Metal Tweak)在2.5 V至7 V范圍內改變,為移動(dòng)設備提供強大的正向過(guò)壓保護功能。此外,安森美半導體還為墻式適配器充電保護提供結合OVP與過(guò)流保護(OCP)的器件,如NCP370(正/負向OVP及反向OCP),以及正在提供樣品的NCP366(集成PMOS)和NCP367(集成PMOS和Vbat引腳)等。

而在針對USB適配器的充電保護方面,安森美半導體集成PMOS的NCP360提供正向過(guò)壓保護功能,集成PMOS的NCP361提供正向過(guò)壓保護及過(guò)流保護功能;此外,結合OVP、OCP和靜電放電(ESD)保護的NCP362也正在提供樣品。下文我們將以NCP370和NCP362為例,探討這些器件如何為移動(dòng)設備充電提供可靠的保護。

NCP370為移動(dòng)設備電池充電/供電通道提供雙向保護

移動(dòng)設備的直接充電通道面臨著(zhù)浪涌電流效應和正/負向過(guò)壓等風(fēng)險。適配器熱插入的瞬間,由于線(xiàn)纜的寄生電感和輸入電容的緣故,危險的高壓振鈴可能會(huì )損害移動(dòng)設備中敏感的集成電路(IC)。在這方面,設想的移動(dòng)設備保護方案應可通過(guò)控制保護方案內的MOSFET的導通,使移動(dòng)設備輸入電流和輸入電壓不超過(guò)IC所能承受的電壓值,從而保護移動(dòng)設備免于源自各種應用環(huán)境下可能存在的過(guò)壓故障的損害,如由適配器內部故障產(chǎn)生的正向過(guò)壓、適配器插反產(chǎn)生的負向過(guò)壓等。

而在反向供電/充電通道方面,設想保護方案也必須解決電池放電/反向放電過(guò)流、反向浪涌電流、反向直接短路和反向通道電壓跌落等問(wèn)題。


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