基于O.18μm CMOS工藝的寬帶LCVCO設計

通常衡量VCO的指標有：自振頻率、振蕩范圍、輸出幅度，相噪．功耗等。一般采用優(yōu)值FOM(Figure of Merit)來(lái)評價(jià)VCO的優(yōu)劣：

其中：f0是自振頻率，△f為頻偏．L(△f)是頻偏△f，處的相噪。P為直流功耗

2 寬帶LCVCO設計實(shí)現
本文目標是設計一個(gè)覆蓋1.1 GHz～2．1 GHz頻段的CMOS LCVCO電路。覆蓋范圍包括如表l所示的各標準協(xié)議頻段。
使LCVCO獲得大調諧范圍的方法之一是增大容抗管的Cmax／Cmin，但這會(huì )增大VCO的壓控增益KCCO。，致使相噪惡化。為了解決這個(gè)矛盾，通常采用開(kāi)關(guān)電容陣列(DC-CA)把頻帶分為若干子頻帶，通過(guò)開(kāi)關(guān)電容的接人與斷開(kāi)來(lái)實(shí)現子頻帶之間的切換，子頻帶內則由容抗管的調諧來(lái)實(shí)現覆蓋，其結構圖如圖3。