雙向過(guò)壓過(guò)流保護器件NCP370 的原理及應用
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2．5 DIR輸入
將NCP370的DIR端強制拉低，并將DEV端拉高，NCP370即可進(jìn)入正向充電狀態(tài)。而將DIR端置高時(shí)，OUT端會(huì )與IN端斷開(kāi)，具體的充電狀態(tài)設置如表1所列。另外，DIR也會(huì )受到OVLO或U-VLO故障的影響(FLAG有效)。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/181158.htm
3 典型應用
NCP370具有保護電壓下降的功能，通過(guò)該功能可使電路免受IN端反向電壓的影響。當出現反向電壓時(shí)，NCP370的輸出將與輸入端斷開(kāi)。
圖4所示是NCP370的典型應用電路。
將NCP370的DIR端強制置高(>1．2 V)，且將DEV端置低(0．55 V)，NCP370便可進(jìn)入反向供電狀態(tài)，此時(shí)系統內的電源可以向置于底部連接器的外設供電。而NCP370則由電池來(lái)供電，范圍為2．5～5．5 V，而且此時(shí)的OCP和熱關(guān)斷模式同樣起作用。
當外設電阻Rlim上的電流(Ilim)高于Iocp時(shí)，流過(guò)其內部N溝道MOS管的電流就會(huì )受到限制，這樣，NCP370就能提供從電池到外設的反向過(guò)流保護功能。由于NCP370的內部電阻與Ilim是串聯(lián)關(guān)系，因此，當Ilim引腳直接與GND相連時(shí)，其OCP最大，而在它們之間接入Rlim時(shí)，其OCP會(huì )減小，OCP的取值大小如表2所列。當電流高于OCP時(shí)，其內部的NMOS會(huì )關(guān)斷，且／FIAG會(huì )置低，同時(shí)NCP370會(huì )通知微控制器來(lái)對故障進(jìn)行處理，并禁止反向充電模式。
通過(guò)NCP370內部的熱關(guān)斷保護電路，可在溫度過(guò)高時(shí)關(guān)斷內部MOSFET，從而及時(shí)為器件降溫。NCP370所允許的最高熱關(guān)斷值為150℃，超過(guò)這個(gè)溫度，FLAG就會(huì )置低，并通知MCU。但是，由于NCP370芯片還具有30℃的熱滯，因此，只有在溫度低于120℃時(shí)，其芯片內部的MOSFET才能開(kāi)啟；而在高于120℃時(shí)，NCP370會(huì )一直處于熱關(guān)斷狀態(tài)。此后，故障消除，芯片即可恢復正常工作。 NCP370在OUT端內部集成有2個(gè)低RDS(on)的N溝道MOS管，可用以實(shí)現對OUT端外系統在過(guò)壓、負向電壓及反向電流下的保護。通常，N溝道MOS管的這種RDS(on)特性會(huì )在OUT端引入少量損耗。
4 結束語(yǔ)
NCP370是安森美半導體公司針對便攜式應用系統產(chǎn)品最新推出的重要器件，該器件可為手機、數碼相機、MP3／4、個(gè)人數字助理(PDA)和GPS系統提供28 V的正向及負向過(guò)壓和過(guò)流保護(OVP)。此外，NCP370還提供有“反向”模式，可實(shí)現便攜式設備電池中反向電流的穩流，故可廣泛用于便攜式設備底部連接器上FM收發(fā)器以及音頻和閃光等功能附件電路的供電。
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