一種高性能CMOS電荷泵的設計
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時(shí)間：2010-03-11
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3 仿真結果
本電荷泵采用O．18μm標準CMOS工藝，使用Cadence軟件集成的Spectre仿真工具對電路進(jìn)行設計仿真驗證。從仿真結果可以看出，電荷泵的電流在0．35～1．3 V的直流掃描范圍內CERO．9％，圖5是電荷泵充放電流之間的匹配曲線(xiàn)圖；圖6所示為主支路與Dummy支路的電壓跟隨曲線(xiàn)變化圖；如圖7所示為輸出端充放電時(shí)的瞬態(tài)電壓變化曲線(xiàn)；如圖8所示為在250 MHz的工作頻率下電荷泵的瞬態(tài)充、放電流波形圖可以看出電路在高頻下能很好地工作。由于增加了電壓跟隨器，整個(gè)電路的功耗有所增加，總功耗大約為0．72 mW。 本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/180989.htm
4 結束語(yǔ)
文中分析了傳統電荷泵的工作原理及存在的非理想因素，在此基礎上設計了一個(gè)結合了對稱(chēng)自偏置高擺幅共源共柵電流源和差分泵開(kāi)關(guān)的電荷泵，電荷泵電流為100μA。在版圖面積和電路性能之間經(jīng)過(guò)優(yōu)化設計，實(shí)現了高精度的泵電流的匹配和較高的工作速度以及較小的電荷注入。整體上滿(mǎn)足了較高要求的應用環(huán)境，適用于高速高精度低壓要求的電荷泵鎖相環(huán)路。
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