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基于A(yíng)Tmega48的微功耗電刺激器的設計

作者: 時(shí)間:2010-05-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
 運動(dòng)障礙性疾病源于不同神經(jīng)遞質(zhì)之間的失衡,而不同部位神經(jīng)細胞的變形壞死是導致神經(jīng)遞質(zhì)失衡的神經(jīng)生物學(xué)基礎。既往對運動(dòng)性疾病的治療主要通過(guò)藥物治療或蒼白球手術(shù)破壞兩種方法。第一種治療途徑或者是療效差,或者是因藥物副作用大患者不能耐受;而第二種途徑即手術(shù)破壞的副作用也特別大。如果能夠腦內某一特定的核團,以改變核團的功能活動(dòng),就有可能在一定程度上糾正神經(jīng)遞質(zhì)之間的失衡,從而達到治療運動(dòng)性疾病的目的。自1960年以來(lái),神經(jīng)病學(xué)家和神經(jīng)外科學(xué)家通過(guò)研究發(fā)現,深部腦(Deep Brain Stimulation, DBS)能夠改善神經(jīng)系統疾病如特發(fā)性震顫和帕金森氏病的某些癥狀。研究人員預測,DBS還可能用于治療癲癇、疼痛、多發(fā)性硬化、癱瘓、強迫性神經(jīng)癥和抑郁癥等疾病。

  為了研究DBS對癲癇治療的機理,首先開(kāi)發(fā)了微型迷走神經(jīng)電實(shí)驗器(Vagus Nerve Stimulator,VNSr),并植入大鼠體內進(jìn)行癲癇治療的研究。分別在大鼠出生后35天(Postnatal 35 days, P35)和P60時(shí)埋植神經(jīng)刺激器刺激電極和腦電圖(Electroencephalograph,EEG)記錄電極,借助電刺激器發(fā)出一定頻率、脈寬和強度的脈沖刺激迷走神經(jīng),通過(guò)觀(guān)察動(dòng)物自發(fā)性癲癇發(fā)作(Spontaneous Recurrent Seizures,SRSs)的頻率、皮層和海馬EEG的頻譜變化、水迷宮測定動(dòng)物的視-空間記憶功能及Timm和Thionin組織染色觀(guān)察大腦神經(jīng)病理學(xué)改變,來(lái)測定神經(jīng)刺激器對癲癇的治療作用。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/180851.htm

  電刺激器由植入電極、連接導線(xiàn)及皮下脈沖發(fā)生器三部分組成。脈沖發(fā)生器產(chǎn)生的刺激電流經(jīng)刺激電極刺激迷走神經(jīng)。植入動(dòng)物體內的電刺激器需要在設定的時(shí)間開(kāi)啟。在一個(gè)時(shí)間間隔里,發(fā)出一定頻率的刺激脈沖電流。本文主要敘述電刺激器的思想。

  1 電刺激器要求

 本系統中植入動(dòng)物體內的電刺激器屬于開(kāi)環(huán)控制,設定為間歇式工作方式,根據前期實(shí)驗結果,結合參考文獻1提供的參數,刺激器工作間隔時(shí)間為5分半鐘,刺激器每工作30秒,輸出一次刺激電流,然后停止工作5分鐘,如此循環(huán)往復。工作過(guò)程是輸出頻率30Hz、脈寬500μs的刺激電流。為了準確控制設定的參數,本系統中嵌入了單片機。系統結構框圖如圖1所示。

基于A(yíng)Tmega48的微功耗電刺激器的設計

  電刺激器的關(guān)鍵是高可靠性、微型化和低功耗。因此采用紐扣式電池供電,選用低功耗、微小封裝的高可靠性單片機和元件。

  2 電壓調整

  本系統采用3V紐扣式鋰電池供電,為了達到刺激電流的強度要求,需要將電壓提升。電壓的提升應選用高效率緊湊型DC/DC進(jìn)行升壓??晒┻x用的緊湊型升壓DC/DC的IC元件很多,例如美國國家半導體公司的LM2703、LM2733,凌特公司的LT1615,德州儀器的TPS61040,臺灣易亨電子的AP1522等等。這幾種IC都是SOT23-5的緊湊型封裝,管腳完全兼容,這也是本系統選用這種IC的原因,不擔心芯片缺貨,將外圍元件參數稍做修改就可以對IC進(jìn)行互換。電壓調整電路的接線(xiàn)原理圖如圖2所示。

基于A(yíng)Tmega48的微功耗電刺激器的設計

  LT1615是微功耗高效率的升壓DC/DC,輸入電壓范圍為1.5V~15V,適用于最大輸出電流小于100mA的場(chǎng)合。芯片在空載時(shí)的靜態(tài)工作電流為20μA,當4腳SHDN為低電平時(shí)關(guān)閉芯片,其靜態(tài)工作電流僅為0.5μA。芯片的工作效率約為75%。輸出電壓值由圖中的R2和R4決定: 基于A(yíng)Tmega48的微功耗電刺激器的設計。

使用3V電池直接給單片機供電。單片機通過(guò)圖中的ON_OFF控制包括DC/DC電路在內的外圍電路的供電,在工作的間歇期進(jìn)入休眠狀態(tài)無(wú)輸出脈沖時(shí),將ON_OFF設為高電平,切斷外圍電路的供電,從而有效地降低系統的電流損耗。

  3 單片機及其脈沖發(fā)生電路

  3.1 單片機及應用

  單片機是Atmel公司在2004年底推出的微功耗高性能八位單片機,采用TQFP32緊湊型封裝,批量生產(chǎn)時(shí)還可以選用更小體積的MLF32封裝(尺寸僅為5mm×5mm)。內有4KB的Flash程序存儲器、256B的EEPROM和512B的靜態(tài)存儲器。支持ISP串行下載方式。

  ATmega48單片機為RISC結構,在1MHz頻率下速度為1MIPS。系統時(shí)鐘有外部低頻、外部高頻、內部RC振蕩器時(shí)鐘等多種工作方式可以選擇。選擇方法是通過(guò)編寫(xiě)熔絲位,并結合軟件編程與時(shí)鐘相關(guān)的寄存器實(shí)現。選擇單片機的時(shí)鐘頻率越高,單片機的功耗也越大。本系統選用128kHz的內部RC振蕩器,在工作電壓為3V時(shí),靜態(tài)電流小于60μA。休眠狀態(tài)時(shí)靜態(tài)電流更低。ATmega48單片機內有六種省電休眠模式,可以使儀器在非工作期間進(jìn)入休眠狀態(tài)。ATmega48的系統時(shí)鐘還可以通過(guò)編程分頻進(jìn)一步地降低時(shí)鐘頻率,減小功耗,在儀器休眠期,采用32倍的分頻系數將時(shí)鐘降低到4kHz。

  ATmega48單片機內有兩個(gè)8位的定時(shí)/計數器,一個(gè)16位的定時(shí)/計數器,可以滿(mǎn)足本系統對開(kāi)啟時(shí)間、脈寬、脈沖頻率的精確控制。另外單片機還有6個(gè)PWM輸出口,可以用于調節儀器的刺激強度。ATmega48單片機內部有獨立的硬件看門(mén)狗時(shí)鐘,可以有效地防止單片機死機。

  本系統選用的ATmega48V是ATmega48的低電壓工作的芯片,選用ATmega48V作為電刺激器的主控芯片,幾乎不需要另加其他的元件。ATmega48V可以在1.8V~5.5V范圍的電壓下工作,在電池使用的有效電壓范圍內,單片機均可正常工作,能充分利用電池的容量。


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