基于DSl210的微處理器存儲系統電源監控
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
監視控制器DSl210提供的第三個(gè)功能電路是輸出信號的電壓保持電路，它應能通過(guò)電池或VCCI提供0．2 V的電壓以實(shí)現寫(xiě)保護。如果輸入在電源偏差產(chǎn)生時(shí)處于低電平，也就是說(shuō)，在工作狀態(tài)下產(chǎn)生電源偏差，輸出就應保持前一個(gè)狀態(tài)，直到恢復高電平。寫(xiě)保護會(huì )延遲到當前存儲周期結束，以防止數據遭到破壞。監測偏差控制有兩種設置，第一種是讓偏差控制管腳(即管腳3)接地，這種設置是將電源波動(dòng)監測限制在4．75～4．5 v范圍內；第二種設置是將偏差控制管腳連接到VCCO，這時(shí)的電源波動(dòng)監測范圍為4．5～4．25 V之間。在通常的供電條件下，會(huì )在信號延遲20 ns內生效。
DSl210的第四個(gè)功能電路是電池狀態(tài)報警電路。該電路是為了避免潛在的數據丟失而設計的。因為電池是備用供電的，如果電池電壓不能滿(mǎn)足供電要求，那么，當系統供電電源發(fā)生異常，即供電電壓偏差超過(guò)了系統正常工作所要求的供電條件時(shí)，而電池也不能提供有效的電壓來(lái)保證系統工作。這樣，處理器電源監控的作用就不能實(shí)現了，也就失去了意義。所以，每次DSl210開(kāi)始工作時(shí)，都會(huì )通過(guò)工作電源VCCI對電池充電，同時(shí)片內精密比較器也會(huì )對電池電壓進(jìn)行檢測，或者說(shuō)與要求的標準電壓進(jìn)行比較。如果檢測到電池電壓不能滿(mǎn)足要求，系統就會(huì )發(fā)出報警，以提示用戶(hù)注意作好相應的防范措施。這時(shí)，如果電池電壓低于2 V，第二個(gè)存儲周期就會(huì )停止。存儲器進(jìn)入工作狀態(tài)后，執行存儲器讀周期，然后校驗內存位置的內容。這樣就可以得出電池的狀態(tài)。而其后的寫(xiě)周期就能夠對同一內存位置執行寫(xiě)操作，從而改變存儲器數據內容。
如果第二個(gè)讀周期不能校驗已寫(xiě)數據，這說(shuō)明電池電壓小于2 V，數據有遭到破壞的可能。
電源監視控制器的第五個(gè)功能是提供電池冗余。在很多應用中，數據完整性非常重要。在這些應用中，非常有必要用兩個(gè)電池來(lái)保證其系統的可靠性。DSl210控制器提供有內部隔離開(kāi)關(guān)，以方便雙電池連接。這樣，在儲備狀態(tài)時(shí)，電池處在最高電壓以備應用。如果一個(gè)電池失效，另一個(gè)電池就會(huì )開(kāi)始工作。冗余電池的開(kāi)關(guān)對電路操作和使用者都是透明的。如果一個(gè)正在應用的電池電壓下降到2 V或者低于2 V，就會(huì )產(chǎn)生一個(gè)電池狀態(tài)報警信號。接地的VBAT2管腳不能激活電池失效警告。不需要電池冗余時(shí)，單個(gè)電池需連接到VBAT1管腳上。應當注意的是，VBAT2電池管腳必須接地。DSl210控制器還包含有關(guān)閉電池備份的電路，這是為了維持電池或者電池組的最大供電能力，直到供電電源工作正常，從而保證有效數據寫(xiě)到SRAM。在最新封裝模型中，和VCCO將強制為VOL。通常當電池先連接到一個(gè)或兩個(gè)電池管腳時(shí)，VCCO將不會(huì )提供電池支持，直到VCCI超過(guò)VCCTP，再由管腳TOL置位，然后衰減到VBAT以下。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/180725.htm
3 基于PDSl210的微處理器存儲電路設計
圖2所示是基于DSl210的微處理器存儲系統的電源監控電路。它可以實(shí)現對RAM的寫(xiě)保護，以保證RAM數據讀寫(xiě)的準確和可靠。圖2中的2腳
和7腳分別是兩個(gè)接電池的管腳，外接電池1和電池2；而6腳，即片選輸出管腳接RAM的片選使能信號輸入管腳；4腳為接地管腳；存儲器的工作電源輸入腳VCCI接+5 V電源；DSl210的電源輸出腳VCCO連接到RAM的電源輸入VCC端，以對RAM提供電源。把偏差控制腳3接地時(shí)，系統即認為VCCI在4．75～5．5 V之間變化的正常供電狀態(tài)。只有當VCC低于4．75 V或者高于5．5 V時(shí)，系統就會(huì )視供電電源為失效或不正常，從而做出相應的反應。
系統啟動(dòng)后，首先檢測電池狀態(tài)是不是滿(mǎn)足要求，如果不滿(mǎn)足，報警電路就會(huì )發(fā)出報警。緊接著(zhù)用于探測電源偏差的精密比較器電路會(huì )對輸入的工作電源VCCO進(jìn)行監視。如果偏差在允許的范圍內，DSl210的內部電子開(kāi)關(guān)就會(huì )保持VCCI與VCCO的連接，以表示工作正常，否則，這個(gè)電子開(kāi)關(guān)就會(huì )切斷VCCI與VCCO的連接，而把電池l與VCCO連接起來(lái)對RAM供電，直到電源偏差檢測電路監視到VCCI輸入正常，電子開(kāi)關(guān)再斷開(kāi)電池與VCCCO的連接，同時(shí)恢復VCCI與VCCO的連接。在電子開(kāi)關(guān)切換時(shí)，DSl210會(huì )讓片選輸出信號輸出高電平，從而對RAM進(jìn)行讀寫(xiě)保護。而當恢復正常供電狀態(tài)后，又重新輸出低電平，使RAM讀寫(xiě)有效，以允許對RAM進(jìn)行正常讀寫(xiě)操作。
4 結束語(yǔ)
微處理器系統中的存儲系統是非常重要的組成部分。為了保證存儲系統的安全和可靠，本文在分析了電源監視DSl210芯片的原理結構的基礎上，給出了一種基于DSl210處理器電源監視芯片的微處理器存儲系統電路的設計方法。
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