新型BiCMOS帶隙基準電路的設計

　　在模擬及數/?；旌霞?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/電路">電路設計中，電壓基準是非常重要的電路模塊之一，而通過(guò)巧妙設計的帶隙電壓基準更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的特點(diǎn)，廣泛應用在LDO及DC-DC集成穩壓器、射頻電路、高精度A/D和D/A轉換器等多種集成電路中。隨著(zhù)大規模集成電路的日益復雜和精密，亦對帶隙基準電壓的溫度穩定性提出了更高的要求。傳統的帶系基準電壓源只能產(chǎn)生固定的近似1.2 V的電壓，不能滿(mǎn)足在低壓場(chǎng)合的應用。電流模帶隙電路采用正溫度系數的電流支路(PTAT)和負溫度系數的電流支路(CTAT)并聯(lián)產(chǎn)生與溫度無(wú)關(guān)的基準電流。然后讓此電流在電阻上產(chǎn)生基準電壓。電流模帶隙結構可以得到任意大小的基準電壓。本文提出一種新的電流模帶隙結構并采用一階溫度補償技術(shù)設計了一種具有良好的溫度特性和高電源抑制比，并且能快速啟動(dòng)的新型BiCMOS

帶隙基準電路。該電路結構簡(jiǎn)單且實(shí)現了低輸出電壓的要求。

　　1 帶隙電壓基準源的設計

　　1.1 傳統電流?；鶞试唇Y構原理

　　傳統的電流模式帶隙基準電路，在運算放大器的2個(gè)輸入端加入阻值相等的2個(gè)分流電阻，輸出基準由2個(gè)電流的和電流流過(guò)電阻獲得。電路結構如圖1所示。圖1中，Q1發(fā)射區面積是Q2的N倍。由于放大器處于深度負反饋，A、B兩點(diǎn)的電壓相等。流過(guò)R1的電流為I1為PTAT電流，流過(guò)R2的電流I2為CTAT電流，則有：欲了解更多信息請登錄電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com )

　　通過(guò)合理選取R1，R2和N的值，可得具有零溫度系數的輸出電壓Vref。通過(guò)改變R3可以得到不同的基準電壓。

　　1.2 新型BiCMOS帶隙基準電路的設計

　　常見(jiàn)的電流模帶隙電路結構在運算放大器的輸入兩端加入阻值相等的分流電阻，輸出基準由2個(gè)電流的和電流通過(guò)電阻獲得可以獲得相對小的基準電壓，這種結構的基準電路存在第三簡(jiǎn)并態(tài)的問(wèn)題。由于第三簡(jiǎn)并態(tài)的存在使電流?；鶞孰娐返膽檬艿胶艽笙拗?。本設計采用電流模結構帶隙基準來(lái)得到任意大小的輸出電壓，并且通過(guò)特殊的結構消除第三簡(jiǎn)并態(tài)的問(wèn)題。通過(guò)增加修調電路對輸出電壓進(jìn)行微調，提高了基準源的精度。帶隙基準源核心電路如圖2所示。

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