IGBT強驅動(dòng)電路的設計
改進(jìn)電路部分所加器件可以看成一個(gè)可變電阻:這個(gè)電阻在脈沖上升沿開(kāi)始到IGBT彌勒平臺時(shí)(t0~t2),電阻值是很小的,主要是充電電流從加速電容這條支路流過(guò),從而不斷加快對IGBT門(mén)極電容的充電。IGBT的彌勒平臺這段時(shí)間內,隨著(zhù)電容上電壓升高,其充電電流速率在逐漸減小,到彌勒平臺結束時(shí),其充電電流速率為零,充電電流達到最大。這個(gè)可以從門(mén)極電阻上電壓波形得到證實(shí)。在上升沿結束(t3)時(shí),充電電流減小到幾乎為零,從而不會(huì )出現過(guò)沖尖峰。在加速電容前加一個(gè)反向二極管阻斷其快速放電通道。圖3是原始的驅動(dòng)波形圖;圖4為附加電路驅動(dòng)波形;圖5為滿(mǎn)負載時(shí)驅動(dòng)波形圖。

2 驅動(dòng)電路改進(jìn)方法分析
圖1中用框標出的電路就是對原有驅動(dòng)電路的改進(jìn)。通過(guò)在門(mén)極增加穩壓管、二極管、電容和電阻,可以較好地吸收上升沿、下降沿和尖峰。
由圖3和圖4比較可以看出,在較小延時(shí)的情況下,應把尖峰減到最小。從圖3可以看出,要減小的尖峰主要是負脈沖后沿的過(guò)沖尖峰,因為這個(gè)尖峰極有可能達到IGBT的開(kāi)啟電壓(Vth),這樣就會(huì )造成同一橋臂的兩個(gè)IGBT直通;同時(shí)由圖5可以看出,在滿(mǎn)負載(600 V/30 A)狀態(tài)下,驅動(dòng)波形具有很好的穩定性,而且沒(méi)有大的尖峰,這就保證了IGBT穩定、安全的工作。
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