推挽軟開(kāi)關(guān)的實(shí)現
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先請大家看兩個(gè)波形：第一個(gè)是MOS管漏極的波形(帶載500W),可以看出此時(shí)漏感引起的尖峰已經(jīng)蕩然無(wú)存(無(wú)任何的吸收或鉗位)
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/179287.htm
再看下變壓器次級電流的波形:串聯(lián)0.1R的電阻測得的，已經(jīng)接近正弦波。
其實(shí)看到這個(gè)框圖我想大家都懂了。
發(fā)一個(gè)雙通道測的兩個(gè)推挽管的D極的電壓和電流的波形，電流波形是通過(guò)探測MOS管的源極管腳的壓降測得的。
通過(guò)這個(gè)波形直觀(guān)地介紹推挽軟開(kāi)關(guān)的實(shí)現原理:
死區時(shí)只是C1D充電,C2DS放電，或者相反，確實(shí)未達到完全的0電壓開(kāi)通，但很接近了。我發(fā)個(gè)硬開(kāi)關(guān)的對比圖給大家看下。大家可以對比28貼的圖：
這個(gè)硬開(kāi)關(guān)時(shí)的電流尖峰已經(jīng)很可怕了，如果把上面這通道改為1V/格(不是200MV/格)，圖為：
重新調了一下加大了Ds電容和變壓器的漏感，波形似乎更像軟開(kāi)關(guān)了。
二極管兩端的波形，居然沒(méi)有任何的尖峰。
重新調了一下死區。
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