具有帶隙結構的遲滯比較器電路設計
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(3)整體電路的門(mén)限電壓和遲滯電壓
當VFB從低電平逐漸增加時(shí)，Ic2>Ic1，于是C點(diǎn)電壓高于D點(diǎn)電壓，Q10導通，Q9截止。當輸入電壓VFB達到帶隙比較器的翻轉門(mén)限時(shí)，Ic2=Ic1，此時(shí)遲滯比較器發(fā)生翻轉，Q10截止，Q9導通，設此時(shí)的VFB=VOH，則有：
當VFB從超過(guò)VOH電壓逐漸減小時(shí)，遲滯比較器的工作點(diǎn)發(fā)生變化，只有當遲滯比較器的電壓達到下翻轉門(mén)限時(shí)，遲滯比較器才翻轉，于是當VFB減小到VFB=VOH時(shí)，Q10并不導通，VFB繼續減小，當遲滯比較器的電壓達到下翻轉門(mén)限時(shí)，遲滯比較器才會(huì )發(fā)生翻轉，Q10導通，設此時(shí)的VFB=VOL，則有：
式中：△U是△V等效到IN端的輸入電壓；△V是遲滯比較器的遲滯電壓。于是整體電路的輸入端FB遲滯電壓為△U。它與Q9導通時(shí)流過(guò)的電流、R8大小有關(guān)。調節R9，R10的大小可以改變Q9導通時(shí)流過(guò)的電流，也就可以調節這個(gè)遲滯電壓。改變R8的大小可以直接調整遲滯電壓。
2 仿真驗證
遲滯比較器的仿真波形如圖4～圖6所示，圖4為輸出電流IOUT與輸入信號FB的關(guān)系圖。從圖中可以看出，該電路能夠實(shí)現8 mV的遲滯功能。圖5和圖6分別為遲滯比較器翻轉門(mén)限隨電源電壓和溫度的變化結果?？梢钥闯?，遲滯比較器的翻轉門(mén)限隨溫度和電壓變化均較小，驗證了電路的穩定性較高。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/179147.htm
3 結語(yǔ)
傳統的帶隙基準電路和遲滯比較器電路占芯片面積較大，工作電壓和功耗都比較高。本文設計的具有帶隙結構的遲滯比較器工作電壓低至1．2 V，大大節省了芯片面積，適用于微功耗DC—DC轉換器中，主要用于鎳鎘、鎳氫和堿性電池供電的便攜式產(chǎn)品。
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