低抖動(dòng)Q開(kāi)關(guān)光電轉換及觸發(fā)系統設計
2.3 電路設計
AVAG02316Tz的輸出信號不能直接作為IXDD415的輸入,采用安森美公司的MC10H116芯片將模擬電平變換成較強抗干擾能力的標準PECL電平,又通過(guò)安森美的MC100ELT23將該PECL電平變換成標準的CMOS電平,這樣可以直接作為IXDD415的輸入信號。
為了減小電源噪聲對抖動(dòng)帶來(lái)的不利影響,對于光纖器件及電平轉換芯片電源,不僅采用了電容濾波的方法,而且電源和地線(xiàn)分別串聯(lián)1.2 μH電感濾波,對于光纖器件,進(jìn)一步設計了1個(gè)RC濾波電路對該器件的電源進(jìn)行處理。對于IXDD415,為了獲得低輸出阻抗,一個(gè)常用方法是旁路電容的容值高出負載電容兩個(gè)數量級,根據負載,旁路電容選擇為4.7μF,0.47 μF,0.1 μF容值的貼片低感脈沖電容。電路設計如圖4所示。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/179128.htm
3 試驗
對于具有低阻輸出的快信號脈沖,測試時(shí)采用了10倍衰減器和50 Ω匹配頭,測試波形如圖5所示。
基準信號指來(lái)自延時(shí)同步機的同步輸出信號,在對單元進(jìn)行了5 min預熱后,連續進(jìn)行了30次試驗,每次試驗間隔20s,試驗數據如表3所示。
延時(shí)主要由光纖長(cháng)度和Q開(kāi)關(guān)光電轉換及驅動(dòng)單元固有延時(shí)兩部分組成,根據該試驗結果,相鄰兩次試驗間最大延時(shí)差為0.5 ns,30次試驗延時(shí)極差為0.6ns,抖動(dòng)為0.07ns,達到設計要求。
4 結論
Z裝置同步觸發(fā)系統的抖動(dòng)主要來(lái)源于Q開(kāi)關(guān)光電轉換與觸發(fā)系統。減小Q開(kāi)關(guān)光電轉換與觸發(fā)系統的抖動(dòng)是Z裝置24個(gè)激光觸發(fā)氣體閉合開(kāi)關(guān)同步動(dòng)作的重要技術(shù)基礎。因此,本文對Q開(kāi)關(guān)光電轉換及觸發(fā)單元的抖動(dòng)進(jìn)行了理論分析,給出一般設計原則,并據此設計電路,試驗結果表明信號前沿及抖動(dòng)滿(mǎn)足設計要求,該單元已應用到Z裝置單路樣機中。在下一步工作中,將進(jìn)行24路全系統聯(lián)試及復雜電磁環(huán)境下抗干擾能力測試。
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