低抖動(dòng)Q開(kāi)關(guān)光電轉換及觸發(fā)系統設計
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時(shí)間：2011-05-11
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2．2 快脈沖產(chǎn)生電路
Q開(kāi)關(guān)驅動(dòng)信號要求前沿小于2．5 ns，脈寬10 ns至數μs，由發(fā)送端光信號決定。IXYS公司的IXDD415是一種用以驅動(dòng)高速MOSFET門(mén)電路的驅動(dòng)芯片，其主要特點(diǎn)包括：寬輸出電壓8～30 V，典型前、后沿小于3 ns，典型延時(shí)30 ns，最小脈寬6ns，2路輸出且單路最大驅動(dòng)電流達15 A，芯片內部集成過(guò)流保護電路，與TTL或CMOS電平兼容。其芯片引腳及說(shuō)明分別如圖3，表2所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/179128.htm
作為高速驅動(dòng)芯片，IXDD415的應用須注意：回路電感，旁路電容，地線(xiàn)。為了避免輸出脈沖出現嚴重LC振蕩，輸出引腳與負載或電纜連接端距離不超過(guò)9．5mm，且布線(xiàn)應盡可能寬，以減小回路電感。該驅動(dòng)芯片輸出脈沖信號的前沿越快，則抖動(dòng)越小，同時(shí)為了獲得足夠的驅動(dòng)能力，應使IXDD415有足夠低的輸出阻抗，因此在IXDD415的電源輸入引腳引入低電感，低電阻和大的脈沖電流輸出能力的旁路電容。IXDD4 15地線(xiàn)的良好處理除了影響到芯片輸出的抖動(dòng)外，還會(huì )影響到輸出脈沖的后沿，應大面積鋪地且與模擬地的連接盡可能短。
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