一種新型的蓄電池充電技術(shù)研究
作者：
時(shí)間：2011-07-25
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
收藏
英飛凌汽車(chē)電子生態(tài)圈
掃碼關(guān)注
獲取最新最全汽車(chē)電子
技術(shù)方案與實(shí)用技巧
要實(shí)現不對稱(chēng)半橋的軟開(kāi)關(guān)，不對稱(chēng)半橋的參數設計需要滿(mǎn)足以下2個(gè)條件，即：
式中：Zn為特性阻抗，
；D為開(kāi)關(guān)管Q1的占空比；C為開(kāi)關(guān)管Q1和Q2的寄生電容；ωk為諧振角頻率；Lk為變壓器初級漏感；I0為負載總電流；td為死區時(shí)間；n為變壓器初、次級匝比。2．2 驅動(dòng)電路
不對稱(chēng)半橋驅動(dòng)電路，如圖3所示。驅動(dòng)集成芯片采用IR公司的IR2103，其輸出級作為推挽驅動(dòng)輸出，以直接耦合的方式與主電路的開(kāi)關(guān)管相連接，由HO和LO的輸出分別作為驅動(dòng)橋式電路的上、下橋臂。為了實(shí)現上橋臂驅動(dòng)電路的地電位與主電路的同步浮動(dòng)，采用由DB和CB組成的外接自舉電路。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/178826.htm
二極管DB的耐壓決定式為：
式中：Uc為驅動(dòng)電源的電壓；Ud為不控整流輸出的電壓。DB的電流容量，JDm的決定式為：
式中：fs為器件開(kāi)關(guān)頻率；Qg為MOSFET柵荷。
評論