有源箝位技術(shù)的PC電源設計
1.5 輸出濾波電容的計算和設計
輸出濾波電容要考慮工作頻率,紋波大小,電容的ESR及ESL,由于有源箝位工作在200kHz之下,又考慮到成本,所以必須選擇優(yōu)質(zhì)的低ESL及ESR鋁電解電容,減小每個(gè)電容的容量,增加并聯(lián)電容的數量,由于工作頻率的提升已經(jīng)比67.5kHz的方案少用一半容量的電容,因此上策是數量不變,減小單個(gè)容量,大約減一半左右。

這是最小的限定值,實(shí)際應該參照ESR、ESL大約加出50~80%,應對負載的變化,限制瞬態(tài)電壓不超過(guò)3%,則有:

為了減小噪聲,在電解電容的最終點(diǎn)要加入一支瓷片電容消除噪聲,容量為10μF左右。
1.6 功率變壓器的設計
功率變壓器的設計計算與硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)的計算方法完全一致,再測出Lm,Lr。接入電路后,先串入外部電感Lr,調好功率MOS的ZVS狀態(tài)后,取下外串電感Lr,加入氣隙達到與試驗相同的主功率MOS的ZVS狀態(tài),記錄此時(shí)變壓器的Lm及Lr,以上即為設計結果。變壓器的導線(xiàn)切記f=200kHz,而不能選擇d超過(guò)0.27mm的導線(xiàn)。大電流時(shí)宜選擇銅箔,銅箔應縱向切開(kāi)縫隙減少渦流損耗。在磁芯磁密選擇時(shí)考慮到200kHz頻率,B值不宜超過(guò)2200高斯。
2 箝位電容MOS及相關(guān)元件的設計
變壓器驅動(dòng)法,IC驅動(dòng)法可參考L6384的驅動(dòng)設計。
對于箝位電路,核心是令變壓器磁芯完全復位,使其工作在第I和第Ⅲ象限,這里主要按伏秒積考慮。

箝位電容較大時(shí),主功率MOS耐壓可以降低,箝位電容較小時(shí),變壓器復位時(shí)間較長(cháng),按工作頻率及主功率MOS的波形,做最后調試決定。
3 功耗計算及效率預估
3.1 主功率及箝位MOSFET的功耗
選定主功率MOS之后,查出其RSDON,工作在ZVS狀態(tài),主要功耗為導通損耗。

但是其Coss充放電造成的諧振損耗是拿不掉的,應該計算。其計算式為:

式中,VCL為箝位電容上的電壓最高值。驅動(dòng)損耗的發(fā)熱在驅動(dòng)器部分不在MOS上。實(shí)際上因為達不到絕對的零開(kāi)關(guān)損耗,實(shí)際損耗比上述計算值要大出10%左右。
箝位MOS的功耗更難于計算,可按主功率MOS功耗的30%來(lái)估算。
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