全CMOS基準電壓源的分析與仿真
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時(shí)間：2011-08-10
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4 高精度MOS管電壓源
圖8所示電路是在圖4的基礎上增加了一個(gè)差分運放電路，通過(guò)該運放強制使得M1和M2的漏一源電壓相等，從而極大地削弱溝道調制效應產(chǎn)生的影響。而運放的輸出為M1和M2提供了柵極偏置電壓。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/178769.htm
圖8中M1-M2、M5-M10的W／L=1．8μm／0．18μm，M3-M4的W／L=3．6μm／0．18μm。仿真結果如圖9所示，溫度在0～80℃變化時(shí)，輸出電壓在661．4～662．6mV之間變化，溫度特性很好。電源電壓在2．5～3．3V變化時(shí)，輸出電壓在580～660mV之間變化。
5 小結
基準電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊，對其進(jìn)行分析和研究具有重要意義。本文通過(guò)Hspice對四種MOS管基準電壓源電路進(jìn)行仿真，給出了電路圖、電路參數和仿真結果。
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