開(kāi)環(huán)推挽逆變器軟開(kāi)關(guān)實(shí)現的設計

這個(gè)電路驅動(dòng)能力強,開(kāi)關(guān)速度極快,但有一點(diǎn),從驅動(dòng)IC過(guò)來(lái)的信號經(jīng)過(guò)了圖騰柱中MOS管的反向,驅動(dòng)IC必須能適應這種邏輯的變化,可采用SG3527,和3525電路完全一樣,只不過(guò)是3527輸出的是負向推動(dòng)脈沖,以適應這種邏輯關(guān)系. 最好的方法是采用專(zhuān)用驅動(dòng)IC,如MC33152,TC4427,FAN3224等,深圳高工以臺系芯睿單片機產(chǎn)生驅動(dòng)信號,再經(jīng)MC33152專(zhuān)驅推動(dòng)MOSFET,取得較好效果.

繼續.要消除開(kāi)關(guān)損耗,首先要知道開(kāi)關(guān)損耗在什么時(shí)段產(chǎn)生的.在圖4中,C2C3為MOSFET的等效輸出電容,把輸出變壓器簡(jiǎn)單的等效為一個(gè)理想變壓器和漏感,激磁電感的串并聯(lián)。

IRF3205的輸出電容C2和C3,查數據手冊為781PF,把變壓器的次級短路,測得的初級電感量就是變壓器的漏感,對于高頻變壓器來(lái)說(shuō),約在幾十到幾百NH,次級開(kāi)路,測得的電感量就是變壓器的激磁電感,如果用PC40ETD29-Z磁芯繞2匝,電感量約為10μH。

設某一時(shí)刻,Q1處于導通狀態(tài),其D極電壓為0,然后G極電壓開(kāi)始下降,漏感L2中的電流不能突變,向等效電容C2充電,由于L2C2都很小,電流很大,Q1的D極電壓迅速上長(cháng),形成很高的所謂漏感尖峰,而此時(shí)Q1柵極電荷還沒(méi)有完全泄放,溝道中還有電流,其溝道電流和電壓同時(shí)不為零,產(chǎn)生了關(guān)斷損耗其值為定積分∫V(t)I(t)dt,而激磁電感L1中的電流則主要轉移到L1的下半段,并經(jīng)Q2中的體二極管返回電源,對開(kāi)關(guān)損耗影響并不大。

設某一時(shí)刻,Q1處于導通狀態(tài),其D極電壓為0,然后G極電壓開(kāi)始下降,漏感L2中的電流不能突變,向等效電容C2充電,由于L2C2都很小,電流很大,Q1的D極電壓迅速上長(cháng),形成很高的所謂漏感尖峰,而此時(shí)Q1柵極電荷還沒(méi)有完全泄放,溝道中還有電流,其溝道電流和電壓同時(shí)不為零,產(chǎn)生了關(guān)斷損耗其值為定積分∫V(t)I(t)dt,而激磁電感L1中的電流則主要轉移到L1的下半段,并經(jīng)Q2中的體二極管返回電源,對開(kāi)關(guān)損耗影響并不大。