雙管正激參數及控制環(huán)路的SABER仿真設計
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時(shí)間：2011-09-19
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
濾波電容的容量分以下兩種情況討論：
?、俨捎闷胀ǖ匿X電解電容，根據文獻[3]，此類(lèi)電容在開(kāi)關(guān)頻率低于500kHz，且RoCo大于開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷和導通時(shí)間的一半時(shí)，輸出紋波僅由ESR(Ro)決定。
此方法隨技術(shù)的進(jìn)步變得不合實(shí)際，最好從廠(chǎng)家或測試得到電容的ESR值。
?、跒V波電容采用零ESR或低ESR電容，自身阻容形成的零點(diǎn)(1/2πRest×C)較高，但對環(huán)路設計的影響不大;若低ESR值的電容采用大容量，其自身阻容形成的零點(diǎn)使得在帶寬附近的高頻衰減不夠，可能引起振蕩，增加補償器的設計難度。如圖3、圖4所示。
考慮電容的發(fā)熱影響壽命，取22μF。
電容的ESR值的最大值為
ESR(max)=△U/△I=0.1/l=0.1 Ω
ESR超過(guò)0.1Ω，紋波電壓會(huì )增加。
下表為圖5模型使用的主要模塊及參數：
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