案例：開(kāi)關(guān)電源紋波以及噪聲抑制

任何一款LDO都有一項指標：噪音抑制比。是一條頻率-dB曲線(xiàn)，如右圖是凌特公司LT3024的曲線(xiàn)。

經(jīng)過(guò)LDO之后，開(kāi)關(guān)紋波一般在10mV以下。

下圖是LDO前后的紋波對比：

對比曲線(xiàn)上圖的曲線(xiàn)和左圖的波形，可以看出對幾百KHz的開(kāi)關(guān)紋波，LDO的抑制效果非常好。但在高頻范圍內，該LDO的效果就不那么理想了。

對于高頻噪聲，由于頻率高幅值較大，后級濾波雖然有一定作用，但效果不明顯。這方面有專(zhuān)門(mén)的研究，簡(jiǎn)單的做法是在二極管上并電容C或RC，或串聯(lián)電感。

4，在二極管上并電容C或RC

上圖是實(shí)際用二極管的等效電路。二極管高速導通截止時(shí)，要考慮寄生參數。在二極管反向恢復期間，等效電感和等效電容成為一個(gè)RC振蕩器，產(chǎn)生高頻振蕩。為了抑制這種高頻振蕩，需在二極管兩端并聯(lián)電容C或RC緩沖網(wǎng)絡(luò )。電阻一般取10Ω-100 Ω，電容取4.7pF-2.2nF。

在二極管上并聯(lián)的電容C或者RC，其取值要經(jīng)過(guò)反復試驗才能確定。如果選用不當，反而會(huì )造成更嚴重的振蕩。

對高頻噪聲要求嚴格的話(huà)，可以采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。關(guān)于軟開(kāi)關(guān)，有很多書(shū)專(zhuān)門(mén)介紹。

5，二極管后接電感（EMI濾波）

這也是常用的抑制高頻噪聲的方法。針對產(chǎn)生噪聲的頻率，選擇合適的電感元件，同樣能夠有效地抑制噪聲。需要注意的是，電感的額定電流要滿(mǎn)足實(shí)際的要求。比較簡(jiǎn)單的做法，不再詳細解釋。

小結

以上是關(guān)于開(kāi)關(guān)電源紋波，總結的一些內容，如果能加些波形就更好了。雖然可能不太全，但對一般的應用已經(jīng)足夠了。關(guān)于噪聲抑制，實(shí)際中并不一定全部應用，重要的是根據自己的設計要求，比如產(chǎn)品體積，成本，開(kāi)發(fā)周期等，選擇合適的方法。