缺陷對石墨烯電子結構的影響
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在計算中，以石墨烯原胞擴展后含50個(gè)碳原子的超晶胞為基礎分別建立了Stone-Wales缺陷模型和單、雙空位缺陷模型，進(jìn)行幾何優(yōu)化后分別如圖3所示。建立缺陷模型大小的依據是盡量減小由于缺陷引入而引起的超胞周?chē)男巫儭?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/177883.htm
在計算所有模型的電學(xué)性質(zhì)時(shí)采取的積分路徑如圖1所示，首先由Γ出發(fā)到達X點(diǎn)，再由X點(diǎn)出發(fā)到達K點(diǎn)，最后再由K點(diǎn)回到出發(fā)點(diǎn)Γ點(diǎn)，從而完成在布里淵內的積分計算。
2 計算結果和討論
2．1 石墨烯及其缺陷體系能帶結構
為便于分析缺陷對石墨烯電子結構及導電性的影響，文中首先計算了如圖3(a)所示的含50個(gè)碳原子的本征石墨烯超胞模型的能帶結構，如圖4(a)所示，其中黑色虛線(xiàn)表示體系的費米能級。在能帶結構中，只關(guān)心費米能級處附近的能帶，因此只在計算結果中選取費米能級附近20條能帶進(jìn)行分析
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