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新穎小功率集成的AC-DC轉換器方案介紹

作者: 時(shí)間:2012-02-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

隨著(zhù)半導體技術(shù)的不斷進(jìn)步,為系統設計師、電路設計師實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新提供了一個(gè)先進(jìn)的技術(shù)平臺,從而有許許多多的、時(shí)尚的便攜式電子產(chǎn)品呈現在世人面前,像PDA、3G手機、各種個(gè)人電子醫療保健裝置以及層出不窮的游戲機等等。這些便攜式電子產(chǎn)品大多需要高檔的開(kāi)關(guān)電源來(lái)供電或充電,此外,還有許多先進(jìn)的便攜式儀器儀表,工控裝置乃至像剃須刀這樣的日常用具也需要開(kāi)關(guān)電源。正是在這種背景下,PHILIPS推出了STARplug電源IC產(chǎn)品系列。
  該系列不但滿(mǎn)足了便攜式電子產(chǎn)品微功耗、高可靠、微小型化等要求,還滿(mǎn)足了使用安全性和環(huán)保的需求。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/177879.htm

  關(guān)于STARplug產(chǎn)品系列
  STARplug有兩個(gè)系列,即TEA152X系列和TEA162X系列(見(jiàn)表1)。TEA152X系列是早在2000年9月問(wèn)世的,TEA162X系列則是對TEA152X系列的改進(jìn),并于2004年5月定型的,這兩者在框圖、電路結構、外引線(xiàn)排列及絕大多數電參數都是相同的。所不同的僅在芯片內部高壓?jiǎn)?dòng)電流源上,TEA152X系列Icharge=1.5mA(典型值),TEA162X系列Icharge=500uA(典型值)。STARplug產(chǎn)品系列

  STARplug采用多芯片結構。所有控制部分用BiCMOS工藝在一個(gè)芯片上,而部分則用EZ-HV工藝做在另一個(gè)芯片上,然后在同一個(gè)基片上優(yōu)化組合而成。從制造工藝上看,飛利浦采用了先進(jìn)的全氧化隔離工藝(或稱(chēng)介質(zhì)隔離工藝),因此其有以下特點(diǎn):
  1. 可免除鎖定效應(鎖定效應是CMOS電路特有的一種失效模式);
  2. 可以方便地在同一個(gè)芯片上實(shí)現模擬,數字和電路的;
  3. 芯片面積也比標準的PN結隔離要??;
  4. 漏電流極低,適于高溫環(huán)境下工作;
  5. 寄生電容小,通過(guò)襯底產(chǎn)生的串擾和EMC的概率很??;
  6. 抵御外部電火花及反極性的能力強。
  這些都有利于支撐STARplug的高性能和高可靠性。
  從電路設計上看,一個(gè)重要的特點(diǎn)是提出了谷值轉換的概念。
  一般說(shuō)來(lái),MOS管耗散的功率是開(kāi)關(guān)電源自身功耗的主要來(lái)源。它與電源的可靠性,穩定性,效率都密切相關(guān)。功率MOS管的功耗通常由三部分組成:
  1. MOS管截止時(shí)的功耗,即VDS為高電平的功耗:這個(gè)功耗主要由漏極D和源極S之間的漏電流來(lái)決定,與芯片制造工藝有關(guān),IDS(off)通常在微安量級,因此這部分功耗極低,一般可以忽略。
  2. MOS管導通時(shí)的功耗,即VDS為低電平時(shí)的功耗,這個(gè)功耗主要決定于漏極和源極之間的導通電阻RDS(on)。這與芯片設計的幾何參數有關(guān)。
  3. MOS管動(dòng)態(tài)功耗,即MOS管由截止向導通轉換,或由導通向截止轉換時(shí)的功耗。這個(gè)功耗可用下式計算:

公式

  飛利浦的電路設計師,分析了上述公式,認識到要降低開(kāi)關(guān)電源的動(dòng)態(tài)功耗,只能由降低轉換時(shí)的VDS和負載下降時(shí)的f入手。通常VDS為380V左右,如果利用電路諧振將VDS于谷底(接近于0V)時(shí),使MOS管由截止進(jìn)入導通,則MOS管的動(dòng)態(tài)功耗將下降幾個(gè)數量級。為此,在電路設計上,加上了谷值檢測電路,一旦電路諧振,能正確地測出“谷底”,并在VDS進(jìn)入“谷底”之時(shí),在柵極G和源極S之間輸入經(jīng)PWM后的脈沖上升沿。
  上個(gè)世紀90年代的PWM芯片,工作頻率f大多為固定頻率。為了降低功耗,特別是降低待機功率,STARplug采取了可調變頻率的靈活電路設計。用戶(hù)設定的頻率為滿(mǎn)載時(shí)的工作頻率。當負載下降時(shí),工作頻率也相應下降。從而保證了待機功耗低于100mW。
  此外,STARplug系列芯片用高壓電流源來(lái)啟動(dòng),一旦IC進(jìn)入正常工作狀態(tài),則高壓電流源將自動(dòng)切斷,從而減少了電路的功耗。由此可知,電路的整個(gè)設計過(guò)程。都貫徹了一條減少功耗的思想,正是因為功率MOS管和控制部份都有效地大幅度地減少了功耗,因此就能夠將功率器件和控制電路在一個(gè)封裝中,有效地減少了外圍元件。另外為了使電路能可靠地工作,還提供了完善的保護功能,包括了逐個(gè)周期過(guò)流保護、欠壓鎖定、過(guò)壓保護、過(guò)溫保護、繞組短路保護、退磁保護。

  STARplug功能描述
  1. STARplug的結構
  圖1是STARplug的內部電路框圖。不難看出,圖中包括功率MOS管和控制電路兩大部分。功率MOS管主要用來(lái)實(shí)現功率的傳輸和轉換。而控制電路則肩負三大任務(wù):
  1. 實(shí)現所有保護功能的快速反應。
  2. 谷值電平的準確檢測。
  3. 工作周期的控制(即PWM功能)。

STARplug內部電路框圖


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