CMOS器件抗靜電措施的研究
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時(shí)間：2012-06-14
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
圖3中R1、R2和R4大約0．5～2 kΩ，因為這個(gè)電阻很小，到達輸入端及輸出端的靜電荷，通過(guò)R1、R2和R4很快就吸收掉。但有時(shí)影響輸出波形，使用時(shí)應注意。
②采用互補放大器的隔離保護如圖4所示。
這種方法對輸出波形影響小，但增加器件數目，互補三極和參數要對稱(chēng)一致，必須進(jìn)行配對測試。
③采用光電耦合器的隔離保護。
把圖4的互補放大器換為光電耦合器，減少了配對測試的必要性。
3)增加穩壓器或瞬變電壓抑制二極管保護CMOS柵極避免電擊穿
如CMOS電源電壓為10 V，增加15 V左右的穩壓管；如CMOS電源電壓為5 V，增加7 V左右的穩壓管，不僅可以加在CMOS的輸入端或輸出端，還可以加在CMOS的電源端，如圖5所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/176960.htm
因為靜電不是直流電，是很快可以吸收而消除的，如果有幾百伏或幾千伏的靜電接觸，如圖5中CMOS的輸入端、輸出端或電源端，那么D1、D2、D3和D4立刻擊穿導通，把靜電吸收掉。
3 結束語(yǔ)
通過(guò)上述幾種方法，能夠有效的消除靜電對CMOS器件的損傷，不過(guò)都是以增加元器件的數量以及犧牲輸入信號的質(zhì)量為代價(jià)。但如果元器件選用得當，在多數情況下只會(huì )犧牲很少的輸入信號質(zhì)量，而使CMOS器件免受靜電損傷。
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