RCC變壓器設計及其與反激電路的對比

RCC 電路根據功率管不同，分為兩種，一種是用三極管制作，另一種是用 MOS 管制做，電路稍有不同，但原理差不太多。我們知道，三極管是一個(gè)電流控制的電流源，即若其基極電流為 Ib,則其極電極電流即為此 IB 值乘以一個(gè)放大倍數。而 MOS 屬電壓控制型電流源，即允許流過(guò)的最大集電極電流是由 GS 極的電壓值決定的，相應的，三極管做成的 RCC電路即是通過(guò)控制其基極電流來(lái)控制最大集電極電流，即原邊峰值電流，來(lái)調節輸出能量大小，即調節輸出電壓，而 MOS 管是通過(guò)調節 GS 極之間的電壓，來(lái)控制其原邊峰值電流。

　　請看上圖，是一個(gè)典型的用 MOS 管做的 RCC 電路。下面我根據自己的理解來(lái)分析一下此電路的工作過(guò)程。

　　1.啟動(dòng)。當開(kāi)啟電源后，高壓通過(guò) RST，經(jīng)過(guò) MOS 的 GS 極，再經(jīng)過(guò) RS，注入基極電流，因為 MOS 的 GS 極之間，有結電容，因此 GS 極電壓升高，GS 導通，RS 的上側會(huì )對地產(chǎn)生一個(gè)電壓，此電壓通過(guò) RF，給 Q1 基極注入電流。因 MOS正在導通中，所以 NS2 的同名端感興出一個(gè)正電壓來(lái)，這個(gè)電壓通過(guò) RL2，D2，RZCD，CZCD，再到 Q1 極電極，因 RS 給 Q1 已經(jīng)注入基極電流，Q1 導通，

　　2.將 VG 電壓拉下，MOS 關(guān)閉。MOS 關(guān)閉，電壓反激， NS2 同名端電壓被拉到 0，即為地電壓，因 RCD 上端為地電壓，所以此時(shí) Q1 的極電極電壓為負，便快速的給 MOS 的 GS 極的結電容放電。加速了 MOS 的關(guān)閉。同時(shí)反激能量通過(guò) NS1，傳給負載，于是次級建立起輸出電壓，次級控制電路亦開(kāi)始起作用。當變壓器儲存能量放完后，NS2 兩端電壓消失，CO2 已經(jīng)儲能，其上端會(huì )有一個(gè)電壓，此電壓通過(guò) NS2 繞組，RZCD，CZCD，Q1 集電極，使得 Q1 上電壓上升，即又給 GS 加上一個(gè)電壓。于是又開(kāi)始起振。

　　3、以上便是 RCC 電路的啟動(dòng)過(guò)程，再說(shuō)一下其穩壓過(guò)程，在一定的輸入電壓下，一定的輸出負載下，其光耦電流應該是一個(gè)恒定值，光敏三極管的上端是由電容 CO2 維持的一個(gè)恒定電壓，此電壓通過(guò)光敏三極管，RA，給 Q1 基極注入電流。Q1 的基極電流，決定了流過(guò)其極電極的電流。假如輸入電壓不變，MOS 在導通時(shí)候，RCD 上端(即NS2 同名端-)，此時(shí)此點(diǎn)電壓值為 VIN.NS2/NP+C02,只要輸入電壓值不變,導通時(shí)此點(diǎn)電壓值即是這么多,不會(huì )變.而 Q1 上端的電壓,是由流過(guò) Q1 的電流決定,其電壓等于 RCD 上端電壓,減去 RL2,RCD,D2,RZCD,CZCD 的壓降,當副邊的負載變輕時(shí)候,流過(guò)光耦電流變大,即注入基極電流變大,極電極電流變大,以上四個(gè)元件的壓降也變大,所以 Q1 是的電壓變小,于是原邊峰值電流變上,減小能量輸入,達到電壓穩定.當原邊輸入電壓升高的時(shí)候,NS2 同名端電壓升高,此時(shí)若光耦電流不變,則 Q1 的電壓會(huì )上升,能量會(huì )增加,輸出電壓升高,此時(shí)光耦電流就會(huì )變大,進(jìn)而形成一系列自動(dòng)調節.從而調節原邊峰值電流,使輸出電壓保持穩定.

　　通過(guò)以上分析,我們不難看出 RCC 電路與反激電路的區別,我歸結如下.

　　1.RCC電路的頻率是變化的,面反激電路的頻率是固定的,當負載變重時(shí),RCC 電路的頻率變小,周期變長(cháng).

　　2.RCC 電路,始終工作在臨界導通模式,其不會(huì )出現反激式電流的連續模式,即其原邊電流始終都是一個(gè)三角波形,而不會(huì )出現梯形波,即其原邊電流的波形如