降低充電器和適配器應用中的無(wú)負載總功耗
回到我們上面的方程式計算中,在無(wú)負載條件下,如果我們在二次側需要200mW的功率,就必須在一次側產(chǎn)生400mW的功率,而且還需要80mW的電流驅動(dòng)脈寬調制控制器。
這個(gè)關(guān)系式表明,如果在二次側降低無(wú)負載功耗,那么,一次側將獲得兩倍的好處。
優(yōu)化系統
通常情況下,當一個(gè)人設計充電器或適配器應用時(shí),這個(gè)應用的無(wú)負載功耗目標就已經(jīng)確定了。具體目標可能是500mW或300mW,但是,直到今天,無(wú)負載總功耗達到100mW似乎仍然是可望而不可及。
在本節我們將看到三個(gè)實(shí)例系統:
(a) 一個(gè)典型的二次配置,如圖1所示;這個(gè)系統采用一個(gè)通用二次集成電路,如ST的TSM103。
(b) 一個(gè)先進(jìn)的二次側電路圖(見(jiàn)圖3),這個(gè)結構采用一個(gè)集成電路,如ST內置自極化電壓基準器件的TSM1011。這個(gè)自極化電壓基準器件的集成取代了電阻器Rref,,從而消除了基準電流Iref。
(c) 一個(gè)先進(jìn)的二次側電路圖(見(jiàn)圖3),這個(gè)結構采用一個(gè)極其先進(jìn)的集成電路 ST的 TSM1012,在無(wú)負載條件下,這個(gè)電路消耗電流僅150A 。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/176599.htm
除考慮典型的二次側結構(圖1)和先進(jìn)的二次側結構(圖3)外,現在市場(chǎng)上還有三種只需0.5mA的光耦合器。我們將會(huì )看到,使用這種光耦合器也能將功耗降到很低。
下表列出了上面討論的三個(gè)系統中的每個(gè)系統的參數:
從上表對比中我們不難看出,采用一個(gè)小功耗光耦合器配合TSM1012的系統,與一個(gè)典型的恒壓恒流二次側對比,前者的功耗經(jīng)濟性接近80%。最重要的是,采用這個(gè)先進(jìn)的系統,無(wú)負載功耗能夠降低到近100mW。
不過(guò),我還看出僅提高光耦合器的性能,而繼續沿用一個(gè)標準二次側器件 (如TSM103) 并沒(méi)有大幅度改進(jìn)總功耗。
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