電路斷路器提供過(guò)流和精確過(guò)壓保護

　一個(gè)簡(jiǎn)單的電路斷路器提供精密過(guò)壓和過(guò)流保護。

　　僅需要少數廉價(jià)元器件，圖1中的電路斷路器響應過(guò)流和過(guò)壓故障。電路的核心處，一個(gè)可調高精度的并聯(lián)穩壓器D2，提供參考電壓、比較器和開(kāi)集電極輸出，所有功能都整合到三管腳的封裝中。

　　圖2顯示ZR431, D1的簡(jiǎn)化電路圖。在參考輸入處的電壓與內部電壓基準VREF相比較，名義上是2.5V。在斷電狀態(tài)下，參考電壓為0V，輸出晶體管處于截止狀態(tài)，陰極電流小于0.1µA。隨著(zhù)參考電壓接近VREF，陰極電流緩慢增加；參考電壓超過(guò)2.5V的閾值時(shí)，裝置完全導通，陰極電壓降至大約為2V。在這種情況下，陰極和電源之間的阻抗決定陰極電流；陰極電流在50µA至100mA范圍內。

　　在正常工作情況下，D2的輸出晶體管截止，而且P溝道MOSFET（Q4）的門(mén)極通過(guò)R9，以至于MOSFET是全面增強的，允許負載電流ILOAD從電源–VS通過(guò)R6流到負載處。Q2和電流敏感電阻R6監測ILOAD的幅值，其中Q2的基極和發(fā)射極電壓VBE是ILOAD×R6。對于ILOAD的正常值，VBE低于Q2偏置所需的0.6V電壓值，這種情況下晶體管對R3 和R4連結處的電壓也沒(méi)有影響。因為D2參考輸入的輸入電流小于1µA，通過(guò)R5可忽略壓降，而參考電壓實(shí)際上是R4上的電壓。

　　當ILOAD超過(guò)最大允許值時(shí)發(fā)生過(guò)載情況，R6上的電壓增大導致基極-發(fā)射極電壓足夠大到導通Q2。因此，R4上的電壓和參考電壓上拉到VS，造成D2的陰極電壓降至大約2V。D2的輸出晶體管通過(guò)R7 和 R8的瀉放電流，因此偏置Q3導通。Q4的柵極電壓通過(guò)Q3有效地控制電源，MOSFET從而截止。與此同時(shí)，Q3的源電流通過(guò)D1流到R4，從而拉動(dòng)R4的電壓，使二極管電壓降到低于電源。由于Q2的基極-發(fā)射極的電壓為0V而截止，因此沒(méi)有負載電流流過(guò)R6。D2的輸出晶體管鎖存，電路仍處于故障狀態(tài)，其中的負載電流為0A。選擇R6的阻值時(shí)要確保在負載電流的最高允許值的條件下，Q2的基極-發(fā)射極電壓大約低于0.5V。

　　對于過(guò)流情況，該斷路器還對電源的非正常大電壓起作用。當負載電流在正常范圍內Q2處于截止狀態(tài)時(shí)，電源幅值以及R3和R4的值，穿過(guò)電源軌形成潛在分壓器，決定參考輸入處的電壓。電源電壓發(fā)生過(guò)壓情況，R4的電壓超過(guò)2.5V參考電壓，D2的輸出晶體管導通。一旦再次發(fā)生，Q3導通，MOSFET（Q4）關(guān)閉，負載與危險瞬間情況有效隔絕。

　　現在電路仍然處在不定狀態(tài)一直到復位。在這些條件下，Q3 控制 Q4的柵極電源電壓大約接近0V，從而保護MOSFET自身擺脫過(guò)多的柵源電壓。忽視R5微乎其微的電壓值，你可以看到參考電壓為VS×R4/(R3+R4)。因為，當參考電壓超過(guò)2.5V時(shí)，D2的輸出變高，你可以變換方程為R3=[(VST/2.5)–1]×R4，其中VST是所需的電源跳閘值。例如，如果R4值為10kΩ，18V的跳閘電壓需要R3阻值為62kΩ。R3 和 R4選擇適當的阻值來(lái)設置需要的跳閘電壓值，確保它們足夠大以至于潛在分壓器不會(huì )過(guò)度負荷供應。同樣，由于輸入參考電流避免導致誤差的值。

　　當你第一次對電路供電，會(huì )發(fā)現電容、燈泡燈絲、汽車(chē)等類(lèi)似具有大浪涌電流的載荷可以使斷路器跳閘，即使正常的、穩態(tài)運行的電流低于R6所設置的水平。解決這個(gè)問(wèn)題的一個(gè)辦法，就是增加電容C2，降低參考輸入處電壓的變化率。不過(guò)，雖然簡(jiǎn)單，但這種方式有一個(gè)嚴重的缺點(diǎn)，因為它減緩了電路對于真正過(guò)流故障的響應時(shí)間。

　　器件C1,、R1,、R2和Q1提供了另一種解決方法。當電壓變大時(shí)，C1初始時(shí)放電，導致Q1導通，從而控制參考輸入為0V，防止來(lái)自跳閘電路的涌電流。然后C1通過(guò)R1 和R2 充電，直到Q1最后截止，釋放參考輸入的控制，并允許電路快速反應過(guò)流瞬變。此時(shí)C1、R1和 R2的值，電路允許涌電流在大約400毫秒內平息下來(lái)。選擇其它值可以使電路容納適用于負載的任何時(shí)限的涌電流。一旦你的電路斷路器跳閘，再次供電或者按下復位開(kāi)關(guān)S1則可以復位。如果你的應用不需要涌電流保護，干脆省略C1、R1和 R2，并在參考輸入和0V之間接入S1。

　　在選擇元器件時(shí)，確保所有的元器件妥善適應它們將遇到的電壓和電流水平。雙極晶體管沒(méi)有特別的要求，雖然這些晶體管，尤其Q2和Q3，應具有高電流增益，Q4應該有較低的阻值，并且Q4的最大漏源極電壓和柵源極電壓必須與最高電源電壓相同。你可以為D1使用幾乎任何一個(gè)小信號的二極管。作為一項預防措施，如果有非常大的瞬態(tài)電壓，適當的齊納二極管D3 和D4保護D2可能是有必要的。

　　雖然該電路利用431器件，是市面從不同廠(chǎng)家都有的廣泛產(chǎn)品，對于D2，并不是所有這些產(chǎn)品都表現的一模一樣。舉例來(lái)說(shuō)，測試了德州儀器的TL431CLP和Zetex公司的ZR431CLP，顯示當參考電壓為0V時(shí)兩個(gè)器件的陰極電流是0A。但是，逐步把參考電壓從2.2V提高到2.45V，對于TL431CLP而言，陰極電流由220提高到380µA，而ZR431CLP是從 23到28µA—兩者大概有10種區別。在選擇R7 和R8的阻值時(shí)，你必須考慮這兩種不同大小的陰極電流的區別。

　　你所使用的D2類(lèi)型和你選擇的R7 和R8的阻值也對響應時(shí)間有影響。TL431CLP的一個(gè)測試電路，其中R7 是1kΩ，R8是4.7kΩ，對于瞬態(tài)過(guò)流的響應時(shí)間是550ns。用ZR431CLP更換TL431CLP，其響應時(shí)間約為1µs。增加R7 和R8的阻值分別到10和47kΩ，則響應時(shí)間為2.8µs。注意到TL431CLP產(chǎn)生較大的陰極電流需要相應阻值較小的R7和R8。

　　為了設定過(guò)壓跳閘水平在18V，R3 和 R4必須具備阻值分別為62和10kΩ。測試電路實(shí)驗得出如下結果：D2采用TL431CLP，電路在17.94V跳閘，D2采用ZR431CLP，跳閘電壓為18.01V。依靠Q2的基極-發(fā)射極電壓，過(guò)流檢測機制的精度低于過(guò)壓功能。然而，用一個(gè)高端電流檢測放大器產(chǎn)生與負載電流成正比的地電流來(lái)取代R6和 Q2，過(guò)流檢測精度將大大提高。這些器件可從Linear技術(shù)公司、Maxim、德州儀器公司和Zetex等公司得到。

　　電路斷路器被證明是很有用的應用，例如汽車(chē)系統，需要過(guò)流檢測，以防止錯誤載荷；還需要過(guò)壓保護，屏蔽敏感電路受到高能負載瞬變時(shí)的影響。除了流過(guò)R3 和R4的小電流，以及D2的陰極電流，在正常、非跳閘情況下，對于電源，電路沒(méi)有電流流出。