霍爾開(kāi)關(guān)工作原理分析
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),薄片的兩端就會(huì )產(chǎn)生電位差,這種現象就稱(chēng)為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱(chēng)為霍爾電勢U,其表達式為:
U=KIB/d (1)
式中,K為霍爾系數,I為薄片中通過(guò)的電流,B為外加磁場(chǎng)(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。由此可見(jiàn),霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應強度成正比。
霍爾開(kāi)關(guān)屬于有源磁電轉換器件,它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,可方便的把磁輸入信號轉換成實(shí)際應用中的電信號,同時(shí),又可滿(mǎn)足工業(yè)場(chǎng)合實(shí)際應用中易操作和可靠性的要求。
霍爾開(kāi)關(guān)具有無(wú)觸點(diǎn)、低功耗、長(cháng)使用壽命、響應頻率高等特點(diǎn),其內部用環(huán)氧樹(shù)脂封灌成一體化,所以能在各類(lèi)惡劣環(huán)境下可靠應用于接近開(kāi)關(guān)、壓力開(kāi)關(guān)、里程表等方面,是一種新型的電器配件。其內部原理圖如圖1所示。

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