閃速存儲器硬件接口和程序設計中的關(guān)鍵技術(shù)

正確識別器件之后，就可以根據器件的命令集對器件進(jìn)行各種操作。對閃速存儲器的所有操作都是通過(guò)芯片的命令用戶(hù)接口CUI實(shí)現的。通過(guò)CUI寫(xiě)入不同的控制命令，閃速存儲器就從一個(gè)工作狀態(tài)轉移到另一個(gè)工作狀態(tài)。其主要的工作狀態(tài)是：讀存儲單元操作、擦除操作和編程操作。

2.2 讀存儲單元操作

　　在閃速存儲器芯片上電以后，芯片就處于讀存儲單元狀態(tài)，也可以通過(guò)寫(xiě)入復位命令進(jìn)入讀存儲單元狀態(tài)，讀存儲單元的操作與SRAM相同。

2.3 擦除操作

　　在對閃速存儲器芯片編程操作前，必須保證存儲單元為空。如果不空，必須對閃速存儲器芯片進(jìn)行擦除操作。由于閃速存儲器采用模塊分區的陣列結構，使得各個(gè)存儲模塊可以被獨立地擦除。當給出的地址是在模塊地址范圍之內且向命令用戶(hù)接口寫(xiě)入模塊擦除命令時(shí)，相應的模塊就被擦除。要保證擦除操作的正確完成，必須考慮以下幾個(gè)參數：(1)該閃速存儲器芯片的內部模塊分區結構。(2)擦除電壓Vpp。(3)整片擦除時(shí)間和每個(gè)模塊分區的擦除時(shí)間參數。上面三個(gè)參數在器件識別中獲得。

2.4 編程操作

　　閃速存儲器芯片的編程操作是自動(dòng)字節編程，既可以順序寫(xiě)入，也可指定地址寫(xiě)入。編程操作時(shí)注意芯片的編程電壓Vpp和編程時(shí)間參數，這兩個(gè)參數也可以在器件識別中獲得。

　　上面，我們給出了單片機與閃速存儲器硬件接口電路和軟件編程設計中應注意的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。硬件上主要考慮芯片的工作電壓和編程電壓，軟件上要考慮到器件的內部結構、使用命令集和時(shí)間參數等因素。隨著(zhù)閃速存儲器器件朝著(zhù)容量越來(lái)越大、工作電壓越來(lái)越低、支持共同的接口標準的方向發(fā)展，將會(huì )使閃速存儲器硬件接口和軟件編程設計越來(lái)越容易，也會(huì )使閃速存儲器的應用更加廣泛。