JDM PIC 編程器制作

rd09 朋友的貼子中有它的PCB圖，照此我制作了一個(gè)，但是僅燒寫(xiě)了一次就壞掉！LED也不亮了，查是D6―6.2V的穩壓管燒掉。究其原因，原來(lái)我使用的是 1/2W的穩壓管，而臺式機的RS232接口的輸出電流可達20mA，兩個(gè)穩壓管應該選用1W的才行。而且6.2V的穩壓管不是標準的型號，所以干脆采用精密的穩壓基準TL431+合適的分壓電阻代替，再次燒寫(xiě)，結果還是不行！LED也很亮，就是校驗失??！在燒寫(xiě)時(shí)測量13V電壓居然只有3.5V？結果查下來(lái)是第一次燒寫(xiě)過(guò)的那片16F873犧牲了……換一個(gè)16F72上，燒寫(xiě)、校驗一次OK！感謝RD09！感謝JDM！為了讓大家提高制作的成功率，下面我再將我制作中零件的選型和改進(jìn)要點(diǎn)給大家共享：

兩個(gè)穩壓管，上面提到了需要1W的，推薦使用TL431，它的電流可達100mA，更詳細的參數和使用方法見(jiàn)它的數據手冊。

兩個(gè)三極管，耐壓要達到50V以上，電流100mA以上，截止頻率大于30MHZ，我使用2SC945代替，只是腳位不一樣，安裝時(shí)需要扭過(guò)，或者朋友們也可自己重新畫(huà)PCB圖。

場(chǎng)效應管的選擇：上面提過(guò)要實(shí)現VPP BEFORE VDD功能有問(wèn)題，我在線(xiàn)路板上用了一個(gè)IRF9014，FENG3在BBS中推薦使用2SJ377，我裝好以后發(fā)現無(wú)論燒寫(xiě)與否VDD+5不能被完全關(guān)斷，實(shí)際上P溝道的場(chǎng)效應管需要負電壓才能導通，我測量TxD端，在不燒寫(xiě)時(shí)電壓為0V，沒(méi)有所期望的-15V電壓出現，所以那個(gè)MOSFET不能被完全關(guān)斷。好在我燒寫(xiě)的是28PIN的16F7X，此電壓只要在燒寫(xiě)時(shí)有+3.5――+5V就行了。如果不燒寫(xiě)有內部振蕩的MCU，這個(gè)管子不接也罷，況且P 溝道的MOSFET又少又貴。在實(shí)際使用中我做了如圖3的改動(dòng)：使用NPN的管子，電流大于500mA，耐壓大于15V，、我選用8050，這樣就沒(méi)有問(wèn)題了。如果怕TxD有負電壓輸出而擊穿Q3的BE腳，可以在B極串一個(gè)二極管。改進(jìn)后的電路如下圖。

電阻均可采用1/8W或1/4W ±5%的碳膜電阻。

串口插座為9針母插。

其它材料恕不多述。

燒寫(xiě)時(shí)芯片的放置見(jiàn)下圖：