藍相液晶技術(shù)的進(jìn)步

　　對普通IPS、矩形、橢圓頂和反橢圓頂四種電極結構（圖2- a） 模擬計算了器件的透射率- 電壓（T- V）曲線(xiàn)（圖2- b）。由圖可知，采用普通IPS 電極結構時(shí)，Vop=106V，透射率T=24.8%；采用矩形電極結構時(shí)，T 沒(méi)有什么變化，但是Vop 只有46V，其原因是矩形電極結構中的水平電場(chǎng)沿z 方向不變；采用橢圓頂電極結構時(shí)，T 只有不大的改善，但是Vop 增加了；采用反橢圓頂電極結構時(shí)，T=32%，透射率比采用普通IPS 電極結構時(shí)改善了29.8%。從提高透射率方面來(lái)講，反橢圓頂電極結構是四種電極結構中最好的，但是Vop 仍然偏高。圖2- c 所示為三種不同的電極形狀附近的透射率分布，可以清楚地說(shuō)明為什么采用反橢圓頂電極結構時(shí)透射率最高。圖3所示為四種電極結構下的電場(chǎng)分布。采用普通IPS電極結構（圖3- a）時(shí)，水平電場(chǎng)強度沿z 的正方向減弱，即越靠近上玻璃極板水平電場(chǎng)越弱，所以Vop高；采用矩形電極結構（圖3- b）時(shí)，水平電場(chǎng)強度沿z 方向不變，所以Vop 低；采用橢圓和反橢圓電極結構（圖3- c、d）時(shí)，水平電場(chǎng)強度沿z 的正方向的分布介于圖3- a 和圖3- b 之間。

　　3.3 采用波浪形電極結構降低驅動(dòng)電壓

　　采用波浪形電極結構可以獲得比采用梯形橫截面電極結構更低的驅動(dòng)電壓和更高的透射率，其整體結構如圖4 所示。液晶盒被夾在偏振方向互相垂直的兩偏振片之間，為常黑模式。上下襯底表面都做成波浪形，兩表面上的導電層構成公共（COM）電極和像素（PIX）電極。波浪形電極的傾角α 越大，水平電場(chǎng)分量就越強，驅動(dòng)電壓便越低；波浪形的周期越長(cháng)，在轉角處的透明死區面積比率降低，透射率便越高。波浪形表面襯底可以采用模壓或印刷工藝獲得，實(shí)現并不困難。在對圖4 結構進(jìn)行模擬計算時(shí)，取波浪形的周期為40μm、傾角為60°、Kerr 常數K 為12.7nm/V²。液晶盒的間隙d 取3.5μm，但是垂直入射光經(jīng)過(guò)BP- LC 的距離更長(cháng)，為d/cosα。