靜電測試技術(shù)在LED品質(zhì)提升的應用
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3. 軟件組件部份
控制探針下針位置，觸發(fā)高壓產(chǎn)生器的充放電模組，控制輸入的電壓充電完成后對待測LED放電并量測結果顯示。
完成高壓產(chǎn)生器交流電壓調變電路設計制作如圖4，使用高壓探棒實(shí)際量測交流電壓振幅峰對峰6.26kV－最大交流振幅:3.13kV，測試驗證結果直流電壓值最大值8.08kV ，于8kV電壓經(jīng)由短路輸出端短路電流測試于放電電阻:1500 Ω +/- 1%條件下，峰值電流達5.46A (理論值:8000/1500=5.33)。完成LED靜電點(diǎn)測模組規格驗證于靜電電壓4Kv并于以下測試條件:
(1)常溫、常濕、大氣環(huán)境下
(2)測試探棒:頻寬大于1 GHz電流探棒
(3)充電電容:100 pF +/- 10% (effective capacitance)
(4)放電電阻:1500 Ω +/- 1%
重復量測HBM短路峰值電流5次結果如下:
峰值電流量測理論值2.66A于一小時(shí)后峰值電流2.70A，偏移量1.5%，滿(mǎn)足測試規范峰值電流2.40~2.96A@4kV與HBM負載短路上升時(shí)間2.0~10ns@4kV。
圖4 高壓產(chǎn)生器完成電路模組
四、結論
本文對所開(kāi)發(fā)高速大動(dòng)態(tài)范圍LED晶圓靜電量測模組，使輸出電壓可涵蓋規范靜電分類(lèi)之最小電壓250V至最大電壓8000V大動(dòng)態(tài)范圍r并縮短低電壓切換至高電壓上升時(shí)間至80ms以?xún)?，未?lái)將進(jìn)行小型試量產(chǎn)與至客戶(hù)端進(jìn)行耐久測試，并視商品化需求進(jìn)行修改，以達高速與大動(dòng)態(tài)范圍LED晶粒線(xiàn)上檢測與分類(lèi)目的。于應用方面除可用于LED靜電測試外主，搭配探針點(diǎn)測技術(shù)可應用于半導體BGA、CSP(Chip Scale Package)、FC(Flip Chip)微小元件晶圓靜電測試。進(jìn)一步應用包括可用于X-ray Tubes、Photomultiplier Tubes、Electron Beam Focusing等。
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