介紹6種AMOLED技術(shù)

AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩陣有機發(fā)光二極體面板。相比傳統的液晶面板，AMOLED具有反應速度較快、對比度更高、視角較廣等特點(diǎn)。

因為AMOLED不管在畫(huà)質(zhì)、效能及成本上，先天表現都較TFT LCD優(yōu)勢很多。這也是許多國際大廠(chǎng)盡管良率難以突破，依然不放棄開(kāi)發(fā)AMOLED的原因。目前還持續投入開(kāi)發(fā)AMOLED的廠(chǎng)商，除了已經(jīng)宣布產(chǎn)品上市時(shí)間的Sony，投資東芝松下Display(TMD)的東芝，以及另外又單獨進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的松下，還有宣稱(chēng)不看好的夏普。2008年8月發(fā)布的NOKIA N85，以及2009年第一季度上市的NOKIA N86都采用了AMOLED。

在顯示效能方面，AMOLED反應速度較快、對比度更高、視角也較廣，這些是AMOLED天生就勝過(guò)TFT LCD的地方;另外AMOLED具自發(fā)光的特色，不需使用背光板，因此比TFT更能夠做得輕薄，而且更省電;還有一個(gè)更重要的特點(diǎn)，不需使用背光板的AMOLED可以省下占TFT LCD 3~4成比重的背光模塊成本。

AMOLED的確是很有魅力的產(chǎn)品，許多國際大廠(chǎng)都很喜歡，甚至是手機市場(chǎng)最熱門(mén)的產(chǎn)品iPhone，都對AMOLED有興趣，相信在良率提升之后，iPhone也會(huì )考慮采用AMOLED，尤其AMOLED在省電方面的特色，很適合手機，目前AMOLED面板耗電量大約僅有TFT LCD的6成，未來(lái)技術(shù)還有再下降的空間。

當然AMOLED最大的問(wèn)題還是在良率，以目前的良率，AMOLED面板的價(jià)格足足高出TFT LCD 50%，這對客戶(hù)大量采用的意愿，絕對是一個(gè)門(mén)檻，而對奇晶而言，現階段也還在調良率的練兵期，不敢輕易大量接單。

(1)金屬氧化物技術(shù)(Metal oxide TFT)

這種生產(chǎn)技術(shù)目前被很多廠(chǎng)家及專(zhuān)業(yè)調查公司看好，并認為是將來(lái)大尺寸AMOLED技術(shù)路線(xiàn)的首選，各個(gè)公司也有相應的大尺寸樣品展出。

該技術(shù)TFT基板在加工過(guò)程中，可采取液晶行業(yè)中常見(jiàn)的、成熟的大面積的濺鍍成膜的方式，氧化物為InGaO3(ZNO)5，盡管這種器件的電子遷移率較LTPS技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品要低，基本為10 cm2/V-sec，但這個(gè)遷移率參數為非晶硅技術(shù)器件的10倍以上，該器件電子遷移率完全能夠滿(mǎn)足AMOLED的電流驅動(dòng)要求，因此可以應用于OLED的驅動(dòng)。

目前金屬氧化物技術(shù)還處于實(shí)驗室驗證階段，世界上沒(méi)有真正進(jìn)行過(guò)量產(chǎn)的經(jīng)驗，主要的因素是其再現性及長(cháng)期工作穩定性還需要進(jìn)一步改善和確認。

(2)低溫多晶硅技術(shù)(LTPS TFT)

該技術(shù)是目前世界上唯一經(jīng)過(guò)商業(yè)化量產(chǎn)驗證、在G4.5代以下生產(chǎn)線(xiàn)相當成熟的AMOLED生產(chǎn)技術(shù)。

該技術(shù)和非晶硅技術(shù)主要的區別是利用激光晶化的方式，將非晶硅薄膜變?yōu)槎嗑Ч?，從而將電子遷移率從0.5提高到50-100 cm2/V-s，以滿(mǎn)足OLED電流驅動(dòng)的要求。

該技術(shù)經(jīng)過(guò)多年的商業(yè)化量產(chǎn)，產(chǎn)品性能優(yōu)越，工作穩定性好，同時(shí)在這幾年的量產(chǎn)中，其良品率已得到很大的提高，達到90%左右，極大的降低了產(chǎn)品成本。

從以上LTPS的工藝流程可以看出，其和非晶硅技術(shù)的主要區別是增加了激光晶化過(guò)程和離子注入過(guò)程，其它的加工工藝基本相同，設備也和非晶硅生產(chǎn)有相通之處。

另外，晶化的技術(shù)也有很多種，目前小尺寸最常用的是ELA，其它的晶化技術(shù)還有：SLS、YLA等，有的公司也在利用其它的技術(shù)研發(fā)AMOLED的TFT基板，例如金屬誘導晶化技術(shù)，也有相應的樣品展出，但這一技術(shù)的主要問(wèn)題是金屬會(huì )導致膜層間的電壓擊穿，漏電流大，器件穩定性無(wú)法保證(由于A(yíng)MOLED器件是特別薄的，各層間加工時(shí)保證層面干凈度，防止電壓擊穿是重要的一項課題)。

LTPS技術(shù)的主要缺陷有如下幾點(diǎn)：

●生產(chǎn)工藝比較復雜，使用的Mask數量為6—9道，初期設備投入成本高。

●受激光晶化工藝的限制，大尺寸化比較困難，目前最大的生產(chǎn)線(xiàn)為G4.5代。

●激光晶化造成Mura嚴重，使用在TV面板上，會(huì )造成視覺(jué)上的缺陷。

(3)非晶硅技術(shù)(a-Si TFT)

非晶硅技術(shù)最成功的應用是在液晶生產(chǎn)工藝中，目前的LCD 廠(chǎng)家，除少數使用LTPS技術(shù)外，絕大部分使用的是a-Si技術(shù)。

a-Si技術(shù)在液晶領(lǐng)域成熟度高，其器件結構簡(jiǎn)單，一般都為1T1C(1個(gè)TFT薄膜晶體管電路，1個(gè)存儲電容)，生產(chǎn)制造使用的Mask數量為4—5，目前也有廠(chǎng)家在研究3Mask工藝。

另外，采用a-Si技術(shù)進(jìn)行AMOLED的生產(chǎn)，設備完全可以使用目前液晶TFT加工的原有設備，初期投入成本低。

再者，非晶硅技術(shù)大尺寸化已完全實(shí)現，目前在LCD領(lǐng)域已做到100寸以上。

雖然在LCD領(lǐng)域，a-Si技術(shù)為主流，但OLED器件是電流驅動(dòng)方式，a-Si器件很低的電子遷移率無(wú)法滿(mǎn)足這一要求，雖然也有公司(例如加拿大的IGNIS)在IC的設計上進(jìn)行了一些改善，但目前還無(wú)法從根本上解決問(wèn)題

LTPS技術(shù)主要技術(shù)瓶頸在晶化的過(guò)程，而a-Si技術(shù)雖然制造過(guò)程沒(méi)有技術(shù)難題，但匹配的IC的設計難度要高得很，而且目前IC廠(chǎng)商都是以L(fǎng)TPS為主流，對a-Si用IC的開(kāi)發(fā)投入少，因此如果采用a-Si技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，則IC的來(lái)源是一個(gè)嚴重的瓶頸和掣肘，另外器件的性能將會(huì )大打折扣。

(4)微晶硅技術(shù)(Microcrystalline Silicon TFT)

微晶硅技術(shù)在材料使用和膜層結構上，和LCD常見(jiàn)的非晶硅技術(shù)基本上是相同的。

微晶硅技術(shù)器件的電子遷移率可達到1—10 cm2/V-s，是目前索尼選擇的技術(shù)。

這種技術(shù)雖然也能達到驅動(dòng)OLED的目的，但由于其電子遷移率低，器件顯示效果差，目前選擇作為研究方向的廠(chǎng)家較少。

通過(guò)對各種TFT技術(shù)比較，我們可以看出，LTPS技術(shù)主要的優(yōu)點(diǎn)是電子遷移率極高，完全滿(mǎn)足OLED的驅動(dòng)要求，而且經(jīng)過(guò)幾年的商業(yè)化生產(chǎn)，良品率已達到90%左右，生產(chǎn)成熟度高。主要的問(wèn)題是初期設備投入成本高，大尺寸化比較困難。

金屬氧化物技術(shù)電子遷移率雖然沒(méi)有LTPS高，但能夠滿(mǎn)足OLED的驅動(dòng)要求，并且其大尺寸化比較容易。主要的問(wèn)題是穩定性差，沒(méi)有成熟的生產(chǎn)工藝。

微晶硅和非晶硅技術(shù)雖然相對簡(jiǎn)單，容易實(shí)現大尺寸化，并且在目前LCD生產(chǎn)線(xiàn)上可以制造，初期的投入成本較低，但其主要的問(wèn)題是電子遷移率低的問(wèn)題，適合LCD的電壓驅動(dòng)，而不適用OLED的電流驅動(dòng)模式，并且在OLED沒(méi)有成熟的生產(chǎn)經(jīng)驗，器件穩定性和工藝成熟性無(wú)法保證。