ADM4210熱插拔控制器的原理及應用

(1)ADM4210―1自動(dòng)重試模式 當TIMER引腳電壓超過(guò)1.3 V，ADM4210―1改用2μ下拉電流給定時(shí)電容放電，當TIMER引腳電平降到COMPl(0．2 V)，用100μA下拉電流給定時(shí)電容快速放電，同時(shí)GATE引腳升為高電平，重試接通電路，如圖3所示。自動(dòng)重試周期由定時(shí)電容確定，占空比為2μA／60μA，大約3．8％，即重新檢測電流周期中，3．8％時(shí)間電路連通tON，96．2％時(shí)間電路斷開(kāi)￡。，這樣可以確保器件有足夠時(shí)間冷卻。

(2)ADM4210―2鎖斷模式 當TIMER的引腳電壓超過(guò)1．3 V，ADM4210―2改用5μA上拉電流繼續給定時(shí)電容充電，維持TIMER引腳電平高于1.3 V、GATE引腳低電平，電路保持開(kāi)路。直到0N引腳出現低電平或將TIMER引腳電平拉低，芯片復位，如圖4所示。

6 實(shí)際應用電路設計
6．1 ADM4210熱插拔保護電路
ADM4210構成的熱插拔保護電路如圖5所示，上電啟動(dòng)信號如圖6所示。

6．2 外圍器件選擇
(1)N溝道MOSFET MOSFET管額定電流必須滿(mǎn)足負載電流的要求，在滿(mǎn)負荷范圍內，MOSFET導通電阻比應足夠?。越档蜄怕╅g的壓差，減小功耗。
(2)感應電阻RSENSE監測感應電壓，電壓比較器門(mén)限電壓為50 mV，選擇感應電阻時(shí)應保證當負載過(guò)流時(shí)，感應電阻電壓不低于50 mV，過(guò)載電流一般設置為正常工作時(shí)負載電流的1倍。例如，負載正常工作電流為100 mA，則RSENSE=50 mV／(2×100 mA)，即0.25Ω。
(3)定時(shí)電容CTIMER定時(shí)器通過(guò)不同的內部電流對定時(shí)電容充放電，以及不同觸發(fā)電平選擇，確定不同功能電路周期，即初始化周期tINTIAL，斷路器延時(shí)周期tBREAKER以及自動(dòng)重試周期tRETRY(針對ADM4210一1)，根據圖2上電啟動(dòng)過(guò)程，初始化周期為272．9 ms／μF，由圖3和圖4故障保護過(guò)程可知，斷路器延時(shí)周期為21．6 ms／μF，自動(dòng)重試周期21．7 ms／μF，計算過(guò)程如下：

例如，當定時(shí)電容為0．22μF時(shí)，初始化周期為60 ms，斷路器延時(shí)周期4．75 ms，自動(dòng)重試周期4．77 ms。

7 結語(yǔ)
ADM4210為電路提供欠壓、過(guò)壓、過(guò)流和短路保護，在不響應工作底板正常運行情況下，完成板卡的熱插拔。除此之外，ADM4210還可廣泛應用于電路電源保護器，工業(yè)高端開(kāi)關(guān)和高端電路的斷路器，電子電路的斷路器等場(chǎng)合，具有極高的應用價(jià)值和廣泛的應用前景。