GaN基量子阱紅外探測器的設計

通過(guò)逐步調節量子阱勢壘的組分，最終發(fā)現In0.1Ga0.9N／In0.2Al0.3Ga0.5N多量子阱結構中的極化電荷基本可以抵消，也就是說(shuō)，做到了極化匹配。極化匹配的GaN基多量子阱結構的能帶結構如圖3所示。

從圖中可以看出，在極化匹配的情況下，GaN基量子阱結構與傳統的GaAs基或InP基量子阱類(lèi)似，在沒(méi)有外加電場(chǎng)時(shí)，都是矩形勢阱結構。在這樣的能帶結構下，通過(guò)改變勢阱的厚度，可以設計不同探測波長(cháng)的量子阱紅外探測器。另外，通過(guò)改變勢壘和勢阱的成分，并在這個(gè)過(guò)程中保持極化匹配，將來(lái)還可以設計出不同深度的量子阱結構，實(shí)現不同探測波段的量子阱紅外探測器。

3 結語(yǔ)
利用自發(fā)極化和壓電極化的相互抵消作用，通過(guò)對GaN基多量子阱結構的能帶結構進(jìn)行研究，找到了可以極化匹配的GaN基多量子阱結構，完成了GaN基量子阱紅外探測器的設計，為下一步實(shí)現GaN基量子阱紅外探測器做好了準備。