單層膜ITO實(shí)現多點(diǎn)觸摸的設計方案

　　多點(diǎn)工作方式，需要引入Z坐標，Z代表手指與觸摸屏感應電極接觸面積的大小，也能代表手指輸人壓力的大小。具體計算方法由式（3）確定：

　　設Zth為雙手指操作時(shí)Z的閾值。Z值超過(guò)Zth則為雙手指操作。

　　為第一組感應電極，為第二組感應電極，為第三組感應電極，分別感應X1、X2、X3范圍內坐標點(diǎn)的位置。具體坐標計算方法與上述類(lèi)似。設計中需要注意X1、X2、X3每組電極的寬度應與手指接觸面積的寬度相當，如寬度不足則需要增加菱形電極，否則手指接觸在相同區域內無(wú)法識別兩個(gè)感應點(diǎn)。

　　3.3 結果驗證

　　實(shí)際電極設計中，每對感應單元設計為多組電極，并根據Lens的厚度設計電極面積以及間隙大小。間隙過(guò)大會(huì )導致線(xiàn)縫可見(jiàn)，因此使用假電極進(jìn)行填充使線(xiàn)縫在30μm以?xún)葎t可以避免上述問(wèn)題。經(jīng)過(guò)實(shí)際測試，在實(shí)現單點(diǎn)觸控基本功能的同時(shí)，能夠實(shí)現兩點(diǎn)觸控，滿(mǎn)足設計要求。

　　操作效果如圖5所示。

圖5操作效果照片

　　4 結論

　　通過(guò)詳細分析電容式觸摸屏的結構以及電極設計，為電容式觸摸屏提供了一種單層膜ITO實(shí)現多點(diǎn)觸摸的設計方案。實(shí)際驗證結果表明，在單手指觸摸和兩根手指觸摸的情況下，所設計的觸摸屏能夠準確報出坐標點(diǎn)。所提出的方案為低成本電容式觸摸屏提供了一種簡(jiǎn)單的設計思路及方法。