電渦流式傳感器的結構及工作原理介紹

當導體置于交變磁場(chǎng)或在磁場(chǎng)中運動(dòng)時(shí)，導體上引起感生電流ie，此電流在導體內閉合，稱(chēng)為渦流。渦流大小與導體電阻率ρ、磁導率μ以及產(chǎn)生交變磁場(chǎng)的線(xiàn)圈與被測體之間距離x，線(xiàn)圈激勵電流的頻率f有關(guān)。顯然磁場(chǎng)變化頻率愈高，渦流的集膚效應愈顯著(zhù)。即渦流穿透深度愈小，其穿透深度h可表示
ρ—導體電阻率(Ω·cm)；
μr—導體相對磁導率；
f—交變磁場(chǎng)頻率(Hz)。
可見(jiàn)，渦流穿透深度h和激勵電流頻率f有關(guān)，所以渦流傳感器根據激勵頻率：高頻反射式或低頻透射式兩類(lèi)。
目前高頻反射式電渦流傳感器應用廣泛。
（一） 結構和工作原理
主要由一個(gè)安置在框架上的扁平圓形線(xiàn)圈構成。此線(xiàn)圈可以粘貼于框架上，或在框架上開(kāi)一條槽溝，將導線(xiàn)繞在槽內。下圖為CZF1型渦流傳感器的結構原理，它采取將導線(xiàn)繞在聚四氟乙烯框架窄槽內，形成線(xiàn)圈的結構方式。

1 線(xiàn)圈 2 框架 3 襯套
4 支架 5 電纜 6 插頭
傳感器線(xiàn)圈由高頻信號激勵，使它產(chǎn)生一個(gè)高頻交變磁場(chǎng)φi，當被測導體靠近線(xiàn)圈時(shí)，在磁場(chǎng)作用范圍的導體表層，產(chǎn)生了與此磁場(chǎng)相交鏈的電渦流ie，而此電渦流又將產(chǎn)生一交變磁場(chǎng)φe阻礙外磁場(chǎng)的變化。從能量角度來(lái)看，在被測導體內存在著(zhù)電渦流損耗（當頻率較高時(shí)，忽略磁損耗）。能量損耗使傳感器的Q值和等效阻抗Z降低，因此當被測體與傳感器間的距離d改變時(shí)，傳感器的Q值和等效阻抗Z、電感L均發(fā)生變化，于是把位移量轉換成電量。這便是電渦流傳感器的基本原理。

電渦流傳感器原理圖