基于MHVIC2115的射頻功率放大器設計

這里對參考設計進(jìn)行了改進(jìn)，廠(chǎng)商的參考資料中的柵極偏置VGSl，VGS2，VGS2使用不同的電源端口，而本文使用電位器來(lái)調節不同偏置電壓，使用同一個(gè)電源VGS。這對于測試來(lái)說(shuō)是非常有利的，可以減少使用直流電壓源的個(gè)數，方便調試。需要注意的是，Protel中微帶線(xiàn)無(wú)法表示，這里只用普通的導線(xiàn)來(lái)代替。
1．3 輸出匹配仿真
對于MHVIC2115器件，由于無(wú)法獲取完整的電路模型，本文利用datasheet中測試的數據進(jìn)行輸出匹配電路的設計。根據與Zout之間的共軛關(guān)系，很容易得出器件Zout。然后利用文本編輯器生成一個(gè)Zout．slp。Zout.slp文件中阻抗值如表1所示。

在A(yíng)DS中采用S1P數據模型來(lái)代替器件的輸出阻抗，把模型路徑設置成Zout．slp文件對應的路徑。整個(gè)輸出阻抗匹配電路如圖3所示，采用微帶線(xiàn)和分立元件來(lái)設計。板材采用Arlon AD255，其相對介電常數為2．55，介質(zhì)厚度為0．762 mm，銅膜厚度為35μm。
優(yōu)化前后的結果如圖4所示，優(yōu)化后S(1，1)小于一24 dB，此時(shí)電壓駐波比VSWR小于1．13。由于Zott.slp只包含了3個(gè)頻率點(diǎn)，所以仿真曲線(xiàn)不平滑。

初步仿真后，可以再進(jìn)行電路參數優(yōu)化。需要注意，電容值在優(yōu)化時(shí)被設置成連續的變量，但是實(shí)際廠(chǎng)商的電容值是離散的。所以在優(yōu)化仿真之后，要把理想電容值改成離實(shí)際電容最近的值，然后再仿真。實(shí)際匹配、旁路電容采用AVX廠(chǎng)商的ACCU―P系列的射頻微波電容，該電容Q值高，容差小，等效串聯(lián)電阻小，適合放大器設計。