基于旋轉體矩量法的高性能微波傳輸天線(xiàn)分析與設計

對于輻射和散射問(wèn)題，其區別僅僅存在于激勵項，而阻抗矩陣并不會(huì )發(fā)生變化。下面求解輻射情況下的激勵矩陣。為了求解反射面天線(xiàn)的輻射問(wèn)題，在饋源內放置于(0，0，z0)上一沿x軸方向的電流元，Ji=xδ(0，0，z0)，則對于激勵元素：

式中：電場(chǎng)Ei為電流源Ji輻射的電場(chǎng)，積分區域為整個(gè)環(huán)性區域，根據互易定律：

式中：Elt為tJlt輻射的電場(chǎng)，積分區域為電流源所在的位置，即Vlt=x?Elt(0，0，z0)。同理，對于激勵元素Vφt=xElφ(0，0，z0)，這樣就完成了矩量法的矩陣填充。通過(guò)求解矩陣方程，電流后天線(xiàn)的遠區方向圖很容易得到。

2 高性能微波傳輸天線(xiàn)的分析與設計
在點(diǎn)對點(diǎn)微波傳輸系統中，為了降低系統之間的相互干擾，要求的傳輸天線(xiàn)具有嚴格的方向圖包絡(luò )和良好的交叉極化分辨率。為了得到這一特性，必須解決兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，一是饋源的設計，二是主反射面的形狀。在設計饋源時(shí)，本文采用的是具有四個(gè)扼流槽的平面波紋喇叭天線(xiàn)。應用于17．7～19．7 GHz的微波傳輸系統中的饋源結構參數如圖2(b)所示。
分析饋源時(shí)采用旋轉體矩量法，激勵采用電流元激勵，沿x放置在饋源內部，分析的結果如圖3所示。