基于XPM存儲器RFID高頻接口設計

　　100%和10% ASK 調制仿真結果

　　調制的數據和天線(xiàn)的波形圖

　　4.結論

　　基于 SMIC 0.18um one poly four metal 標準CMOS 工藝設計的符合ISO15693 國際標準協(xié)議的RFID 射頻前端電路. 電路仿真的結果表明: 此射頻前端電路可以有效地從 13.56MHz 的RF 信號中恢復出直流電壓1.8v, 并提出數字部分需要的時(shí)鐘,和解調出指令數據。整個(gè)芯片的版圖照片如圖所示.芯片的面積為960um*600um.流片后測試發(fā)現在7.5A/m 場(chǎng)強下可以工作在12CM.滿(mǎn)足設計規格要求。

　　整個(gè)芯片的照片

　　本文作者創(chuàng )新點(diǎn)：在標準0.18um CMOS process 上實(shí)現了滿(mǎn)足ISO15693 國際標準的 RFID 射頻前端電路的設計，并流片驗證通過(guò)。而且成功的把XPM 存儲器技術(shù)(標準CMOS 的One time program memory)集成到RFID 芯片中, 實(shí)現了世界上第一次采用XPM 存儲器技 術(shù)成功的RFID 芯片。