工程師總結的估計信號完整性效應的經(jīng)驗法則
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42、 如果50 歐姆微帶線(xiàn)中的返回路徑寬度與信號線(xiàn)寬相等，則其特性阻抗比返回路徑無(wú)限寬時(shí)的特性阻抗高20%。
43、 如果50 歐姆微帶線(xiàn)中的返回路徑寬度至少時(shí)信號線(xiàn)寬的3 倍，則其特性阻抗與返回路徑無(wú)限寬時(shí)的特性阻抗的偏差小于1%。
44、 布線(xiàn)的厚度可以影響特性阻抗，厚度增加1MIL,阻抗就減少2 歐姆。
45、 微帶線(xiàn)定部的阻焊厚度會(huì )使特性阻抗減小，厚度增加1MIL,阻抗減少2歐姆。
46、 為了得到精確的集總電路近似，在每個(gè)上升時(shí)間的空間延伸里至少需要有3.5 個(gè)LC 節。
47、 單節LC 模型的帶寬是0.1/TD。
48、 如果傳輸線(xiàn)時(shí)延比信號上升時(shí)間的20%短，就不需要對傳輸線(xiàn)進(jìn)行端接。
49、 在50 歐姆系統中，5 歐姆的阻抗變化引起的反射系數是5%。
50、 保持所有的突變（IN）盡量短于上升時(shí)間（NS）的量值。
51、 遠端容性負載會(huì )增加信號的上升時(shí)間。10-90 上升時(shí)間約是（100xC）PS,其中C 的單位是PF。
52、 如果突變的電容小于0.004XRT,則可能不會(huì )產(chǎn)生問(wèn)題。
53、 50 歐姆傳輸線(xiàn)中拐角的電容（Ff）是線(xiàn)寬（MIL）的2 倍。
54、 容性突變會(huì )使50%點(diǎn)的時(shí)延約增加0.5XZ0XC。
55、 如果突變的電感（NH）小于上升時(shí)間（NS）的10 倍，則不會(huì )產(chǎn)生問(wèn)題。
56、 對上升時(shí)間少于1NS 的信號，回路電感約為10NH 的軸向引腳電阻可能會(huì )產(chǎn)生較多的反射噪聲，這時(shí)可換成片式電阻。
57、 在50 歐姆系統中，需要用4PF 電容來(lái)補償10NH 的電感。
58、 1GHZ 時(shí)，1 盎司銅線(xiàn)的電阻約是其在DC 狀態(tài)下電阻的15 倍。
59、 1GHZ 時(shí)，8MIL 寬的線(xiàn)條的電阻產(chǎn)生的衰減與介質(zhì)此材料產(chǎn)生的衰減相當，并且介質(zhì)材料產(chǎn)生的衰減隨著(zhù)頻率變化得更快。
60、 對于3MIL或更寬的線(xiàn)條而言，低損耗狀態(tài)全是發(fā)生在10MHZ頻率以上。在低損耗狀態(tài)時(shí)，特性阻抗以及信號速度與損耗和頻率無(wú)關(guān)。在常見(jiàn)的級互連中不存在由損耗引起的色散現象。
61、 -3DB 衰減相當于初始信號功率減小到50%，初始電壓幅度減小到70%。
62、 -20DB 衰減相當于初始信號功率減小到1%，初始電壓幅度減小到10%。
63、 當處于趨膚效應狀態(tài)時(shí)，信號路徑與返回路徑的單位長(cháng)度串聯(lián)約是（8/W）Xsqrt(f)(其中線(xiàn)寬W:MIL;頻率F:GHZ)。
64、 50 歐姆的傳輸線(xiàn)中，由導體產(chǎn)生的單位長(cháng)度衰減約是36/(Wz0)DB/IN。
65、 FR4 的耗散因子約是0.02。
66、 1GHZ 時(shí)，FR4 中由介質(zhì)材料產(chǎn)生的衰減約是0.1DB/IN，并隨頻率線(xiàn)性增加。
67、 對于FR4 中的8MIL 寬、50 歐姆傳輸線(xiàn)，在1GHZ 時(shí)，其導體損耗與介質(zhì)材料損耗相等。
68、 受損耗因子的制約，FR4 互連線(xiàn)（其長(cháng)是LEN）的帶寬約是30GHZ/LEN。
69、 FR4 互連線(xiàn)可以傳播的最短時(shí)間是10PS/INxLEN。
70、 如果互連線(xiàn)長(cháng)度（IN）大于上升時(shí)間（NS）的50 倍，則FR4 介質(zhì)板中由損耗引起的上升邊退化是不可忽視的。
71、 一對50 歐姆微帶傳輸線(xiàn)中，線(xiàn)間距與線(xiàn)寬相等時(shí)，信號線(xiàn)間的耦合電容約占5%。
72、 一對50 歐姆微帶傳輸線(xiàn)中，線(xiàn)間距與線(xiàn)寬相等時(shí)，信號線(xiàn)間的耦合電感約占15%。
73、 對于1NS 的上升時(shí)間，FR4 中近端噪聲的飽和長(cháng)度是6IN,它與上升時(shí)間成比例。
74、 一跟線(xiàn)的負載電容是一個(gè)常數，與附近其他線(xiàn)條的接近程度無(wú)關(guān)。
75、 對于50 歐姆微帶線(xiàn)，線(xiàn)間距與線(xiàn)寬相等時(shí)，近端串擾約為5%。
76、 對于50 歐姆微帶線(xiàn)，線(xiàn)間距是線(xiàn)寬的2 倍時(shí)，近端串擾約為2%。
77、 對于50 歐姆微帶線(xiàn)，線(xiàn)間距是線(xiàn)寬的3 倍時(shí)，近端串擾約為1%。
78、 對于50 歐姆帶狀線(xiàn)，線(xiàn)間距與線(xiàn)寬相等時(shí)，近端串擾約為6%。
79、 對于50 歐姆帶狀線(xiàn)，線(xiàn)間距是線(xiàn)寬的2 倍時(shí)，近端串擾約為2%。
80、 對于50 歐姆帶狀線(xiàn)，線(xiàn)間距是線(xiàn)寬的3 倍時(shí)，近端串擾約為0.5%。
81、 一對50 歐姆微帶傳輸線(xiàn)中，間距與線(xiàn)寬相等時(shí)，遠端噪聲是4%Xtd/rt。如果線(xiàn)時(shí)延是1ns,上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠端噪聲是8%。
82、 一對50 歐姆微帶傳輸線(xiàn)中，間距是線(xiàn)寬的2 倍時(shí)，遠端噪聲是2%Xtd/rt。如果線(xiàn)時(shí)延是1ns,上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠端噪聲是4%。
83、 一對50歐姆微帶傳輸線(xiàn)中，間距是線(xiàn)寬的3 倍時(shí)，遠端噪聲是1.5%Xtd/rt。如果線(xiàn)時(shí)延是1ns,上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠端噪聲是4%。
84、 帶狀線(xiàn)或者完全嵌入式微帶線(xiàn)上沒(méi)有遠端噪聲。
85、 在50 歐姆總線(xiàn)中，不管是帶狀線(xiàn)還是微帶線(xiàn)，要使最懷情況下的遠端噪聲低于5%，就必須保持線(xiàn)間距大于線(xiàn)寬的2 倍。
86、 在50 歐姆總線(xiàn)中，線(xiàn)間距離等于線(xiàn)寬時(shí)，受害線(xiàn)上75%的竄擾來(lái)源于受害線(xiàn)兩邊鄰近的那兩跟線(xiàn)。
87、 在50 歐姆總線(xiàn)中，線(xiàn)間距離等于線(xiàn)寬時(shí)，受害線(xiàn)上95%的竄擾來(lái)源于受害線(xiàn)兩邊距離最近的每邊各兩根線(xiàn)條。
88、 在50 歐姆總線(xiàn)中，線(xiàn)間距離是線(xiàn)寬的2 倍時(shí)，受害線(xiàn)上100%的竄擾來(lái)源于受害線(xiàn)兩邊鄰近的那兩根線(xiàn)條。這是忽略與總線(xiàn)中其他所有線(xiàn)條間的耦合。
89、 對于表面布線(xiàn)，加大相鄰信號線(xiàn)間的距離使之足以添加一個(gè)防護布線(xiàn)，串擾常常就會(huì )減小到一個(gè)可以接受的水平，而且這是沒(méi)必要增加防護布線(xiàn)。添加終端短接的防護布線(xiàn)可將串擾減小到50%。
90、 對于帶狀線(xiàn)，使用防護線(xiàn)可以使串擾減小到不用防護線(xiàn)時(shí)的10%。
91、 為了保持開(kāi)關(guān)噪聲在可以接受的水平，必須時(shí)互感小于2.5nhx 上升時(shí)間（ns）。
92、 對于受開(kāi)關(guān)噪聲限制的接插件或者封裝來(lái)說(shuō)，最大可用的時(shí)鐘頻率是
250MHZ/(NxLm)。其中，Lm 是信號/返回路徑對之間的互感（nh），N 是同時(shí)開(kāi)館的數量。
93、 在LVDS 信號中，共模信號分量是比差分信號分量達2 倍以上。
94、 如果之間沒(méi)有耦合，差分對的差分阻抗是其中任意一個(gè)單端線(xiàn)阻抗的2倍。
95、 一對50 歐姆微帶線(xiàn)，只要其中一跟線(xiàn)的電壓維持在高或低不變，則另一跟線(xiàn)的單端特性阻抗就與鄰近線(xiàn)的距離完全無(wú)關(guān)。
96、 在緊耦合差分微帶線(xiàn)中，與線(xiàn)寬等于線(xiàn)間距時(shí)的耦合相比，線(xiàn)條離得很遠而沒(méi)有耦合時(shí)，差分特性阻抗僅會(huì )降低10%左右。
97、 對于寬邊耦合差分對，線(xiàn)條間的距離應至少比線(xiàn)寬大，這么做的目的是為了獲得可高達100 歐姆的查分阻抗。
98、 FCC的B級要求是，在100MHZ 時(shí)，3M遠處的遠場(chǎng)強度要小于150UV/M.
99、 鄰近的單端攻擊次線(xiàn)在強耦合差分對上產(chǎn)生的差分信號串擾比弱耦合差分對上的少30%。
100、 鄰近的單端攻擊次線(xiàn)在強耦合差分對上產(chǎn)生的共模信號串擾比弱耦合差分對上的多30%。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/156308.htm
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