采用信號調理IC驅動(dòng)應變片電橋傳感器

電壓驅動(dòng)電路

MAX1452的內部75kΩ電阻可用作RISRC和RSTC，也可以通過(guò)開(kāi)關(guān)SW1和SW2連接外部電阻，如圖5所示。通過(guò)ISRC引腳訪(fǎng)問(wèn)運算放大器，實(shí)現電橋驅動(dòng)的電壓反饋。圖6、圖7和圖8介紹了三種不同的電壓驅動(dòng)電路。


圖6. 高阻抗傳感器電路圖，沒(méi)有使用外部器件


圖7. 具有npn晶體管的低阻抗傳感器電路圖


圖8. 使用外部RSUPP驅動(dòng)的電路

對于2kΩ以上的高阻抗傳感器，圖6中的簡(jiǎn)單電路為電橋提供了電壓驅動(dòng)激勵。打開(kāi)SW1和SW2禁止FSOTC DAC調制電路。連接引腳ISRC和BDR形成運算放大器反饋環(huán)路，從而獲得電橋激勵電壓反饋。通過(guò)向電橋源出電流，晶體管T1和T2 (并聯(lián))提高了電橋電壓，使其等于FSO DAC電壓。

惠斯通電橋電路中連接的低阻抗(120Ω至2kΩ)應變片或者厚膜電阻不能直接由T2驅動(dòng)。采用射極跟隨配置的外部npn晶體管可以解決這一問(wèn)題(圖7)。流過(guò)npn晶體管的電流直接來(lái)自集電極VDD電源。驅動(dòng)T1和T2，使其足以導通，打開(kāi)npn晶體管，使運算放大器U1提高電橋電壓。為關(guān)閉環(huán)路，ISRC的電橋電壓被反饋至運算放大器。對電橋電壓進(jìn)行穩壓，以匹配FSO DAC輸出電壓，在電橋上加入一個(gè)小的0.1µF電容，以保持穩定。

npn晶體管的基射極電壓(VBE)具有較大的溫度系數，通過(guò)U1的反饋來(lái)消除方程中該項的影響。低溫時(shí)，VBE較大，最大電橋電壓限制為：

VBRIDGEMAX = VDD - VT2SAT - VBE

與VBE溫度補償相似，控制反饋環(huán)路消除了方程中的TNPN增益溫度分量。

為低阻抗電橋提供足夠驅動(dòng)電流的另一方法是在T2上并聯(lián)一個(gè)小的外部電阻(圖8中的RSUPP)。RSUPP保證了電橋電壓略小于所需的值(VDD = 5.0V為3.0V)。T2提供更多的電流，把電橋電壓提高到所需的值。由于T2處于OFF狀態(tài)時(shí)，T2提供最小的電流，因此，應針對最差情況的小電橋電壓來(lái)調整RSUPP。同樣，T2的最大電流能力(VBDR = 4.0V時(shí)2mA)決定了可用的最大電橋電壓調制。該電路可以用于具有靈敏度(TCS)相對較低溫度系數的電橋傳感器，它不需要較大的電橋電壓調制。

U1反饋消除了RSUPP溫度系數導致的靈敏度效應。設計電路時(shí)，為保證適當的驅動(dòng)電流余量，應考慮RSUPP功率降額最大值和最小值。

總結

MAX1452靈活的電橋激勵方法大大提高了用戶(hù)的設計自由度。本文主要關(guān)注帶有和不帶有電流放大的電壓驅動(dòng)電路，并介紹了其他電橋驅動(dòng)配置。其他設計考慮包括在控制環(huán)路上使用外部溫度傳感器，在環(huán)路中送入OUT信號，實(shí)現傳感器線(xiàn)性化(即，相對于測量參數的非線(xiàn)性)等。