下一代LTE基站發(fā)射機的RF IC集成設計

從3G升級到LTE-Advance，對下一代移動(dòng)通信基礎設施的設備和器件供應商提出了諸多挑戰。下一代無(wú)線(xiàn)設備要求支持更寬的信號帶寬、更復雜的調制方式，以便在全球范圍內部署的各種運行頻段上都能獲得更高的數據速率。因此，噪聲、信號線(xiàn)性度、功耗和外形尺寸等性能都非常關(guān)鍵，對這些性能的要求也更苛刻。此外，元器件供應商同樣被要求降低元器件的成本和尺寸以支持更高密度的應用。

射頻芯片(RF IC)設計師面臨的挑戰也將日益艱巨，因為集成方案必須具有或超過(guò)分立元器件實(shí)現的性能。在采用分立元器件實(shí)現方案時(shí)，系統設計師可以分別采取不同技術(shù)(如GaAs、Si Bipolar或CMOS)進(jìn)行最優(yōu)化的設計。但對那些想通過(guò)單一工藝技術(shù)提供更高集成度的RF IC設計師來(lái)說(shuō)，選擇最佳工藝技術(shù)所面臨的最大挑戰是靈活性。

在基站的發(fā)送器內，模擬I/Q調制器是決定發(fā)送信號路徑的本底噪聲和線(xiàn)性度的關(guān)鍵RF IC器件，不允許為降低尺寸、功耗或成本而犧牲性能。

幸運的是，SiGe BiCMOS工藝技術(shù)可實(shí)現更高集成度而又不犧牲性能。這些工藝通常能提供多種速度類(lèi)別的SiGe NPN晶體管，在某些情況下還能提供一倍(更多時(shí)候是兩倍)于CMOS晶體管特征尺寸的互補高性能PNP晶體管。在此基礎上，還能增加MIM電容、薄膜電阻以及更重要的多層厚銅和鋁金屬膜。這些特性能夠幫助設計師在單芯片上實(shí)現多個(gè)高性能的功能模塊，從而大大降低功耗、縮小體積，并保持很高的性能。



發(fā)射機板級設計的一個(gè)重要方面是用于各個(gè)上變頻和下變頻轉換電路的本振時(shí)鐘的合成和分配。基站本振時(shí)鐘的分配必須保持到PCB所有遠距離位置的相位一致性，而且必須具有低的帶內噪聲、寬帶噪聲以及總雜散噪聲?；祛l器性能與驅動(dòng)它的本振性能一樣，因此高質(zhì)量的本振是提高發(fā)射機總體性能的關(guān)鍵。此外，本振信號上很小的相位噪聲或雜散分量都有可能在模擬信號路徑中引入足夠大的能量，導致發(fā)射機不能滿(mǎn)足一些主要的蜂窩通信標準(MC-GSM、WCDMA、LTE、WiMAX)規定的雜散干擾指標。這些標準要求的本振頻率范圍為約500MHz至接近4GHz，這意味著(zhù)用于本振時(shí)鐘分配的版圖設計必須十分小心。從本振產(chǎn)生到最后終結的走線(xiàn)長(cháng)度應盡可能短，但如果本振合成器必須饋送到多個(gè)不同器件時(shí)，這個(gè)要求就很難滿(mǎn)足。一種解決方案是將公共的低頻參考時(shí)鐘饋送到每個(gè)本振附近的獨立PLL合成器，但這會(huì )占用很大的PCB面積。

通過(guò)集成先進(jìn)的小數N分頻PLL和VCO，ADRF670x系列集成式調制器解決了上述許多問(wèn)題。使用硅鍺技術(shù)能讓內置VCO的正交調制器和混頻器的動(dòng)態(tài)范圍達到業(yè)界領(lǐng)先水平，并且具有競爭優(yōu)勢的性能，而體積顯著(zhù)小于外接VCO/PLL解決方案。VCO在上層厚金屬層中實(shí)現，可將高Q值的片上電感用作LC電路的一部分。VCO電容是用MOS開(kāi)關(guān)型MIM電容組成的，因此允許VCO在寬頻范圍內切換頻率，并具有較低的相位噪聲。每次編程PLL頻率時(shí)都會(huì )自動(dòng)調整頻帶，因而能提供獨立和可靠的解決方案。在初始化完成后，頻帶大小的選擇要確保器件能在整個(gè)溫度范圍內正常工作。厚金屬層還用來(lái)集成具有出色反射損耗的輸出平衡不平衡轉換器(Balun)。ADRF670x系列由4個(gè)頻率參數互相重疊的成員組成，覆蓋從400MHz至3GHz的頻率范圍和頻帶，每個(gè)成員都是根據1dB和3dB通帶上的輸出Balun帶寬定義的。