基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統設計與仿真

　　在運用CAD設計工具設計得出具有關(guān)鍵元件布局和關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò )的走線(xiàn)的基本元素的PCB后，綜合考慮如電氣、電磁兼容性(EMC)等因素對信號完整性(SI)的影響以及這些因素之間的相互作用，從而進(jìn)行Boardsim布線(xiàn)后的仿真分析與驗證。下面選取一些重要的DQ、DQS、MA網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行分析。在進(jìn)行完整PCB的布線(xiàn)后，可以通過(guò)Boardsim導入PCB文件。圖1為地址/控制線(xiàn)在Boardsim中的顯示圖，圖2為差分對DQS在Boardsim中的顯示圖。

　　在相關(guān)網(wǎng)站上下載該處理器和該型號內存的IBIS模型。根據JESD79-2C DDR2 SDRAM SPECIFICATION的說(shuō)明要求，可以知道地址/命令/控制信號以及DQS差分對或時(shí)鐘信號的DC和AC工作標準對DDR2-800要求如表1所示。根據上述指標可以得出眼圖的數據，然后設置疊層編輯器來(lái)設置特性阻抗值，導入CPU以及存儲器的IBIS模型，根據實(shí)際設計設置網(wǎng)絡(luò )中上拉電阻以及濾波電容的實(shí)際值，可以讀出有效特性阻抗值Z0=54.3 Ω，以及每位周期的值。因為信號頻率為400 MHz，所以每位周期設置為1.25 ns。

　　從圖3眼圖可以看出，信號在不同DIMM內部和外部的信號質(zhì)量是不同的，在沒(méi)有端接電阻以及布線(xiàn)、阻抗調整的情況下，運行400 MHz的頻率信號十分差，眼圖的寬度、高度、上升斜率等關(guān)鍵指標都不符合JEDEC對DDR2-800的DC/AC規范。