分析有線(xiàn)電視和通訊應用的PIN二極管衰減器的結構

安華高科的HSMP-3816二極管四元組采用5腳無(wú)引線(xiàn)SOT-25表面貼裝型封裝。π結四元組PIN二極管由從同一晶片挑選的、電氣特性密切匹配的毗連元件組成。除了尺寸方面的優(yōu)勢外，與四個(gè)分離元件組成的四元組相比，將四個(gè)性能完全匹配的PIN二極管捆綁到SOT-25封裝中有助于保證衰減器的輸入輸出臂之間具有更好的對稱(chēng)性。

用兩個(gè)并聯(lián)電阻和一個(gè)串聯(lián)電阻就可以構造一個(gè)基本的pi配置固定電壓衰減器，通過(guò)配置即可以得到A=20log （K）的衰減，同時(shí)提供能夠匹配具體應用電路特性阻抗的輸入/輸出阻抗。在工作頻率高于衰減器截止頻率的情況下，一個(gè)PIN二極管可以做為電流控制可變電阻使用。在工作頻率10倍于fc時(shí)，一個(gè)PIN二極管就可以精確地用一個(gè)具有恒定微值結電容的電流控制并聯(lián)電阻來(lái)模擬。工作頻率低于0.1fc時(shí)，PIN二極管就表現為一個(gè)普通的PN結二極管。

工作頻率在0.1fc到10fc之間時(shí)，PIN二極管的特性就變得非常復雜，一般表現為一個(gè)與一個(gè)高頻電流電感或電容并聯(lián)的、隨頻率變化而變化的電阻。另外，工作在這個(gè)范圍內時(shí)，信號失真畸變也非常嚴重。對于HSMP-3810型二極管而言，τ≈1500ns，其截止頻率為1,000kHz，因此在1000kHz以上二極管的電阻值與工作頻率無(wú)關(guān)，不過(guò)，由于已經(jīng)針對寬帶衰減器應用對此二極管進(jìn)行了優(yōu)化，所以即使在fc以下此二極管也具有良好的特性。

可以用三個(gè)二極管來(lái)代替pi電路中的固定電阻，構造一個(gè)可變衰減器，不過(guò)，這樣會(huì )導致網(wǎng)絡(luò )中的不對稱(chēng)，從而導致產(chǎn)生一個(gè)相當復雜的偏壓網(wǎng)絡(luò )。用兩個(gè)PIN二極管來(lái)代替其中的串聯(lián)電阻可以獲得幾個(gè)性能方面的好處。首先，由于串聯(lián)二極管具有容性電抗而使網(wǎng)絡(luò )與其它部分相隔離，用兩個(gè)二極管代替一個(gè)電阻可以提高最大衰減值或在一定衰減值的條件下使頻率上限翻倍。其二，代替串聯(lián)電阻的兩個(gè)二極管是180度反接的，這樣就抑制了偶數次信號畸變的產(chǎn)生。其三，由此而得到的衰減器網(wǎng)絡(luò )是對稱(chēng)的，從而可以大大簡(jiǎn)化偏壓網(wǎng)絡(luò )。電源電壓V+是一固定電壓，Vc是控制網(wǎng)絡(luò )衰減的可變電壓，用兩個(gè)二極管代替電阻的唯一缺點(diǎn)是可能會(huì )增加介入損耗。

四元二極管pi型衰減器需要一個(gè)恒定的電壓V+和一個(gè)可變的控制電壓Vc。對于1.25V的V+，可變控制電壓的范圍為0V到大約5V。電壓V+的值代表了回程損耗與控制電壓范圍之間的一個(gè)折衷，更低的V+可以降低回程電壓，但同時(shí)也會(huì )使控制電壓的工作范圍縮小。

衰減器是在指定的頻率范圍內，一種用以引入一預定衰減的電路。一般以所引入衰減的分貝數及其特性阻抗的歐姆數來(lái)標明。在有線(xiàn)電視系統里廣泛使用衰減器以便滿(mǎn)足多端口對電平的要求。如放大器的輸入端、輸出端電平的控制、分支衰減量的控制。衰減器有無(wú)源衰減器和有源衰減器兩種。有源衰減器與其他熱敏元件相配合組成可變衰減器，裝置在放大器內用于自動(dòng)增益或斜率控制電路中。無(wú)源衰減器有固定衰減器和可調衰減器。

衰減器的工作頻帶是指在給定頻率范圍內使用衰減器，衰減器才能達到指標值。由于射頻/微波結構與頻率有關(guān)，不同頻段的元器件，結構不同，也不能通用?，F代同軸結構的衰減器使用的工作頻帶相當寬，設計或使用中要加以注意。

本文中介紹的衰減器是在8mm厚的RF4型印刷電路（PCB）上實(shí)現的。RF4具有良好的機械穩定性和耐久性，成本低，但其損耗大，難于控制，而且介質(zhì)系數與工作頻率密切相關(guān)。另一方面，玻璃纖維增強型聚四氟乙烯（PteE）PCB材料具有良好的高頻特性，但是相對昂貴一些，機械穩定性也比較差，不適合于某些表面貼裝工藝。選用針對高頻工作要求進(jìn)行了優(yōu)化的PCB基底材料可以改善高頻性能，各種測量參數對頻率的依賴(lài)程度受到與HSMP-3816二極管四元組、PCB、其它元件及連接器相關(guān)的寄生效應的影響。

將PIN二極管用做衰減元件時(shí)，PIN二極管具有比等效的GaAs MESFETs更高的線(xiàn)性度，通過(guò)使用具有厚I層及低介質(zhì)張弛頻率（fdr）的多個(gè)PIN二極管就可以將信號畸變減小到最低程度。在A(yíng)vago公司PIN二極管產(chǎn)品線(xiàn)中HSMP-381x系列產(chǎn)品的I層最厚。在低衰減狀態(tài)，大部分RF能量?jì)H僅是從輸入端傳輸到輸出端而已。它們接近于零偏壓狀態(tài)，其結電容將隨RF電壓同步變化，幸運的是，由于兩個(gè)二極管是反向串聯(lián)的，所以可以抑制由受RF調制的電容所產(chǎn)生的某些失真或畸變。由于封裝的兩個(gè)反串二極管具有完全互相匹配的特性，因此可以得到最佳的失真抑制能力。

普通的二極管由PN結組成。在P和N半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征（Intrinsic）半導體層，組成的這種P-I-N結構的二極管就是PIN 二極管。正因為有本征（Intrinsic）層的存在，PIN 二極管應用很廣泛，從低頻到高頻的應用都有，主要用在RF領(lǐng)域，用作RF 開(kāi)關(guān)和RF保護電路，也有用作光電二極管（PhotoDiode）。PIN 二極管包括PIN光電二極管和PIN開(kāi)關(guān)二極管。

PIN二極管還可以調節到高頻范圍。為改善隔離特性，我們可以將兩個(gè)或多個(gè)二極管串聯(lián)起來(lái)，但同時(shí)會(huì )引起介入損耗的增大。PIN二極管本質(zhì)上還屬于電流控制的電阻器。為減少介入損耗，它們需要采用大量的直流電源以降低I（本征）區內的電阻率。這顯然會(huì )影響電池壽命。這種特點(diǎn)，再加上PIN二極管方案需要大量器件，使得這種技術(shù)很難應用于便攜手持式產(chǎn)品。